[发明专利]一种CMP过程后晶圆厚度测量装置及方法、清洗腔室在审
| 申请号： | 202011451164.8 | 申请日： | 2020-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN114628265A | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 金相一;张月;杨涛;卢一泓;刘青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所(普通合伙) 11386 | 代理人： | 吴利芳 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cmp 过程 后晶圆 厚度 测量 装置 方法 清洗 | ||
1.一种CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，包括晶圆厚度测量设备；
所述晶圆厚度测量设备设置在清洗腔室内，且位于清洗剂池上方的干燥气体喷射口的上方；
所述晶圆厚度测量设备用于在晶圆清洗完成后的上升过程中对晶圆厚度进行测量。
2.根据权利要求1所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述晶圆厚度测量设备包括光学发射器和光学接收器；
所述光学发射器和光学接收器均设置在清洗腔室内，且位于清洗剂池上方的干燥气体喷射口的上方；
所述光学发射器用于发射检测光；
所述光学接收器用于接收经晶圆表面反射和折射后的检测光。
3.根据权利要求2所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述光学发射器为激光发射器，光学接收器为激光接收器。
4.根据权利要求2所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述光学发射器、光学接收器与干燥气体喷射口同时启动工作。
5.根据权利要求2所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，晶圆上升方向平行于晶圆表面，所述光学发射器和光学接收器距离晶圆表面1-4cm。
6.根据权利要求2所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述光学发射器和光学接收器的安装位置不高于晶圆上升的最高位置。
7.根据权利要求2所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述光学发射器为线形光学发射器，光学接收器为线形光学接收器。
8.根据权利要求7所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述线形光学发射器和线形光学接收器水平放置，线形光学发射器的检测光的检测宽度d1不小于晶圆直径d，线形光学接收器的检测光的检测宽度d2不小于d1的1.1倍。
9.根据权利要求1所述的CMP过程后晶圆厚度测量装置，其特征在于，所述干燥为马兰戈尼干燥，所述晶圆清洗完成后在顶升机构的作用下上升。
10.一种CMP过程后晶圆厚度测量方法，其特征在于，包括：
CMP过程后的晶圆进入清洗腔室；
晶圆在清洗腔室的清洗剂池中完成清洗后，在顶升装置的作用下上升；
晶圆开始上升时，干燥气体喷射口开始喷射马兰戈尼干燥气体；
晶圆最高处平齐于干燥气体喷射口时，干燥气体喷射口上方的晶圆厚度测量设备开始工作，对上升中的晶圆厚度进行实时检测。
11.根据权利要求10所述CMP过程后晶圆厚度测量方法，其特征在于，所述干燥气体喷射口设置在喷射杆上，喷射的气体为异丙醇的高温蒸汽和氮气的混合气体，异丙醇和氮气的体积比为1:4至4:1。
12.一种CMP过程后晶圆清洗腔室，其特征在于，包括：晶圆厚度测量设备、顶升装置、清洗池和干燥气体喷射杆；
所述干燥气体喷射杆位于清洗池上方，用于喷射干燥气体；
所述晶圆厚度测量设备位于干燥气体喷射杆上方，用于在晶圆清洗完成后的上升过程中进行晶圆厚度的测量；
所述顶升装置用于将清洗完成后的晶圆沿晶圆表面方向提升；
所述清洗池内装有液体清洗剂。。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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