[发明专利]微发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备

说明书

本发明提供一种微发光二极管晶粒定位和去除方法和设备，所述微发光二极管晶粒定位和去除方法包括：S1、获取衬底上的多个微发光二极管晶粒的测试文档，所述测试文档包括每一微发光二极管晶粒的相对坐标位置及光电性能测试结果；S2、依据所述光电性能测试结果，将每一微发光二极管晶粒标记为第一代码或者第二代码；S3、更新所述第一代码和所述第二代码至所述测试文档中；以及S4、读取更新后的所述测试文档中的所述第一代码，获得与所述第一代码对应的一个或多个微发光二极管晶粒的相对坐标位置；其中，所述第一代码和所述第二代码相异。

技术领域

本发明涉及微发光二极管技术领域，尤其涉及一种微发光二极管晶粒定位和去除方法及设备。

背景技术

Micro LED是将发光二极管(Light Emitting Diode,LED)微缩化和矩阵化的产品，指的是在一个晶圆片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列，如LED显示屏每一个像素可定址、单独驱动点亮，可看成是户外LED显示屏的微缩版，将像素点距离从毫米级降低至微米级。它的优势在于既继承了无机LED的高效率、高亮度、高可靠度及反应时间快等特点，又具有自发光无需背光源的特性，体积小、轻薄，还能轻易实现节能的效果。

如图1和图2所示，衬底10上GaN基的微LED晶粒(LED Die)11在外延生长和微LED晶粒工艺过程，微LED晶粒11的电性良率很难确保是100％。因此，在微LED晶粒11制作完成后，必须对微LED晶粒11进行光电性能测试，并挑选光电性能符合要求的微LED晶粒供应至后续制程中。其中，光电性能不符合要求的微LED晶粒12为异常微LED晶粒，光电性能符合要求的微LED晶粒11为正常的微LED晶粒。

目前，将衬底10上GaN基微LED单元蚀刻切割成多个微LED晶粒11，获取每个LED晶粒11的相对坐标位置，以及每个微LED晶粒11经过光电性能测试后，根据每个LED晶粒11的相对坐标位置和以及对应的光电性能测试数据建立测试文档。晶粒分选机读取测试文档中每个微LED晶粒11及其对应的相对坐标位置，获取衬底10上GaN基正常微LED晶粒11的相对位置信息，控制转移头抓取正常的微LED晶粒11，并将其转移到承载基板20上，承载基板20及正常的微LED晶粒11会供应到后续制程中。

由于晶粒分选机在选择性抓取正常的微LED晶粒11的过程中，需要分析测试文档中所有微LED晶粒的相对位置及光电性能测试结果后，才能将正常的微LED晶粒识别出来，存在分析数据大，操作效率低问题。

发明内容

本发明提供一种微发光二极管晶粒的定位和去除方法及设备，以克服现有的晶粒分选机在选择性拾取正常微发光二极管晶粒时，需要逐一分析所有微发光二极管晶粒的相对位置坐标和光电性能测试结果，不能直接定位衬底上的异常微发光二极管晶粒的位置的问题。

本发明一实施例中提供一种微发光二极管晶粒定位和去除方法，所述微发光二极管晶粒定位和去除方法包括：S1、获取衬底上的多个微发光二极管晶粒的测试文档，所述测试文档包括每一微发光二极管晶粒的相对坐标位置及光电性能测试结果；S2、依据所述光电性能测试结果，将每一微发光二极管晶粒标记为第一代码或者第二代码；S3、更新所述第一代码和所述第二代码至所述测试文档中；以及S4、读取更新后的所述测试文档中的所述第一代码，获得与所述第一代码对应的一个或多个微发光二极管晶粒的相对坐标位置；其中，所述第一代码和所述第二代码相异。

作为可选的技术方案，所述第一代码对应的一个或者多个微发光二极管晶粒为异常微发光二极管晶粒。

作为可选的技术方案，还包括：S5、激光照射所述衬底上异常微发光二极管晶粒，使得所述异常微发光二极管晶粒自所述衬底上剥离。

作为可选的技术方案，所述衬底为透明衬底。

作为可选的技术方案，所述微发光二极管晶粒为GaN微发光二极管晶粒，其中，GaN层接触所述衬底的表面。