[发明专利]一种高性能（VNbTaMoW）C高熵碳化物陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：按质量份计，其所用原料包括五氧化二钒微粉0.5-2份、五氧化二铌微粉0.5-2份、五氧化二钽微粉0.5-2份、三氧化钼微粉0.5-2份、三氧化二钨微粉0.5-2份和活性碳微球5-15份。

2.根据权利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：其所用原料包括五氧化二钒微粉1份、五氧化二铌微粉1份、五氧化二钽微粉1份、三氧化钼微粉1份、三氧化二钨微粉1份和活性碳微球10份。

3.根据权利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述五氧化二钒微粉、五氧化二铌微粉、五氧化二钽微粉、三氧化钼微粉和三氧化二钨微粉各自的纯度≥99％，粒径≤5μm。

4.根据权利要求1所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述活性碳微球是以生物质为碳源，采用水热法制备得到的碳微球，碳微球的粒径≤0.5μm。

5.根据权利要求4所述的高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷，其特征在于：所述生物质为葡萄糖、蔗糖、淀粉中的至少一种。

6.一种高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

1)按设计组分，称取五氧化二钒微粉、五氧化二铌微粉、五氧化二钽微粉、三氧化钼微粉、三氧化二钨微粉和活性碳微球作为原料；采用无水乙醇为介质，对原料进行球磨6-18h，再于100-120℃温度中干燥8-24h，得到成分均匀的混合物；

2)将步骤1)得到的混合物进行热压烧结，制备(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷。

7.根据权利要求6所述高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制备方法，其特征在于：原料进行球磨后，再于110℃温度中干燥12-18h。

8.根据权利要求6所述高性能(VNbTaMoW)C高熵碳化物陶瓷的制备方法，其特征在于：所述热压烧结的温度为1600-2000℃，保温15-40min，压力为20-60MPa，且当温度达到烧结温度时进行加压。