[发明专利]掩模、掩模的制造方法和利用掩模的显示装置的制造方法在审
申请号: | 202011441701.0 | 申请日: | 2020-12-08 |
公开(公告)号: | CN113643965A | 公开(公告)日: | 2021-11-12 |
发明(设计)人: | 金桢国;金辉;李雅凛;朴相河;宋昇勇;黄圭焕 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/033 | 分类号: | H01L21/033;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 李盛泉;姜长星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩模 制造 方法 利用 显示装置 | ||
1.一种掩模,包括:
第一开口部;
第一遮蔽部,围绕所述第一开口部;
第二遮蔽部,布置于所述第一开口部与所述第一遮蔽部之间,并且包括从所述第一开口部朝向所述第一遮蔽部延伸的多个狭缝;以及
第三遮蔽部,布置于所述第一开口部与所述第二遮蔽部之间,并且与所述狭缝连接。
2.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第二遮蔽部的厚度。
3.如权利要求2所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的上表面与所述第二遮蔽部的上表面位于同一高度。
4.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第三遮蔽部的宽度。
5.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第三遮蔽部在平面上是圆弧的形状。
6.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述多个狭缝中的每一个在平面上是梯形形状。
7.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述多个狭缝彼此相隔。
8.如权利要求1所述的掩模,其特征在于,
所述第一开口部具有拐角为圆弧的矩形形状,
所述第二遮蔽部布置于所述第一开口部的所述拐角与所述第一遮蔽部之间。
9.如权利要求8所述的掩模,还包括:
第二开口部,布置于所述第一开口部的侧面与所述第一遮蔽部之间。
10.一种掩模的制造方法,包括如下步骤:
准备定义有第一开口区域、围绕所述第一开口区域的第一遮蔽区域、布置于所述第一开口区域与所述第一遮蔽区域之间的第二遮蔽区域以及布置于所述第一开口区域与所述第二遮蔽区域之间的第三遮蔽区域的基层;
去除所述基层的与所述第三遮蔽区域重叠的区域的一部分,来形成第三遮蔽部;
去除所述基层的与所述第一开口区域重叠的区域,来形成第一开口部;以及
在所述基层的与所述第二遮蔽区域重叠的区域形成包括从所述第一开口区域朝向所述第一遮蔽区域延伸的多个狭缝的第二遮蔽部。
11.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
形成所述第三遮蔽部的步骤中,去除所述基层的与所述第三遮蔽区域重叠的所述区域的下部的一部分。
12.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部的上表面与所述第二遮蔽部的上表面位于同一高度。
13.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部的厚度小于所述第三遮蔽部的宽度。
14.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第三遮蔽部在平面上是圆弧的形状。
15.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述多个狭缝中的每一个在平面上是梯形形状。
16.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述多个狭缝彼此相隔。
17.如权利要求10所述的掩模的制造方法,其特征在于,
所述第一开口部具有拐角为圆弧的矩形形状,
所述第二遮蔽部布置于所述第一开口部的所述拐角与对应于所述第一遮蔽区域的第一遮蔽部之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造