[发明专利]一种宽动态范围的自偏置差分驱动整流器电路

权利要求书

1.一种宽动态范围的自偏置差分驱动整流器电路，其特征在于：所述差分驱动整流器电路由第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第一PMOS管（M3）、第二PMOS管（M4）组成差分驱动整流器、第一二极管（D1）、第二二极管（D2）组成的特殊结构的二极管构成；输入信号为RF+和RF-通过第一电容（C1）、第二电容（C2）接差分驱动整流器的输入端，差分驱动整流器的输出端接并联的第一二极管（D1）、第二二极管（D2），第一二极管（D1）、第二二极管（D2）的输出端为输出信号V_out ；

其中：

所述第一NMOS管（M1）的漏极与第二NMOS管（M2）的漏极和地相连，第一NMOS管（M1）的源极与第一电容（C1）的下极板、第二NMOS管（M2）的栅极、第一PMOS管（M3）的源极相连，构成X节点；

所述第一NMOS管（M1）的栅极与第二NMOS管（M2）的源极、第二PMOS管（M4）的源极、第三电容（C3）的上极板相连；第二NMOS管（M2）的漏极与地相连，第二NMOS管（M2）的栅极与第一电容（C1）的下极板、第一PMOS管（M3）的源极相连，第二NMOS管（M2）的源极与第三电容（C3）的上极板、第二PMOS管（M4）的源极相连，构成Y节点；

所述第一PMOS管（M3）的源极与第一电容（C1）的下极板相连，第一PMOS管（M3）的栅极与第四电容（C4）的上极板、第三NMOS管（M5）的源极、第三PMOS管（M6）的栅极相连，构成Z节点；

所述第一PMOS管（M3）的漏极与第三NMOS管（M5）的栅极、第三PMOS管（M6）的源极、第四NMOS管（M7）的栅极、第四PMOS管（M8）的源极、第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口相连；第二PMOS管（M4）的源极与第三电容（C3）的上极板相连，第二PMOS管（M4）的栅极与第二电容（C2）的下极板、第四NMOS管（M7）的源极、第四PMOS管（M8）的栅极相连，构成T节点；

所述第二PMOS管（M4）的漏极与第三NMOS管（M5）的栅极、第三PMOS管（M6）的源极、第四NMOS管（M7）的栅极、第四PMOS管（M8）的源极、第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口相连；第三NMOS管（M5）的源极与第四电容（C4）的上极板、第三PMOS管（M6）的栅极相连，第三NMOS管（M5）的栅极与第三PMOS管（M6）的源极、第四NMOS管（M7）的栅极、第四PMOS管（M8）的源极、第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口相连，第三NMOS管（M5）的漏极与第三PMOS管（M6）的漏极相连；第三PMOS管（M6）的栅极与第四电容（C4）的上极板相连，第三PMOS管（M6）的源极与第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口、第四NMOS管（M7）的栅极、第四PMOS管（M8）的源极相连；第四NMOS管（M7）的源极与第二电容（C2）的下极板、第四PMOS管（M8）的栅极相连，第四NMOS管（M7）的漏极与第四PMOS管（M8）的漏极相连，第四NMOS管（M7）的栅极与第四PMOS管（M8）的源极、第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口相连；第四PMOS管（M8）的栅极与第二电容（C2）的下极板相连，第四PMOS管（M8）的源极与第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口相连；第五电容（C5）的上极板与电阻（R）的正端口相连，第五电容（C5）的下极板与电阻（R）的负端口和地相连；

所述第一二极管（D1）由第三NMOS管（M5）、第三PMOS管（M6）组成，第二二极管（D2）由第四NMOS管（M7）、第四PMOS管（M8）组成；

所述第一NMOS管（M1）、第二NMOS管（M2）、第三NMOS管（M5）、第四NMOS管（M7）为中等阈值的NMOS管，第一PMOS管（M3）、第二PMOS管（M4）为中等阈值的PMOS管，第三PMOS管（M6）、第四PMOS管（M8）为高阈值的PMOS管。

2.根据权利要求1所述的宽动态范围的自偏置差分驱动整流器电路，其特征在于：所述输入信号RF+与第一电容（C1）、第二电容（C2）的上极板相连，RF-与第三电容（C3）、第四电容（C4）的下极板相连。

3.根据权利要求1所述的宽动态范围的自偏置差分驱动整流器电路，其特征在于：所述输出信号V_out与第五电容（C5）的上极板、电阻（R）的正端口、第一PMOS管（M3）的漏极、第二PMOS管（M4）的漏极、第三NMOS管（M5）的栅极、第三PMOS管（M6）的源极、第四NMOS管（M7）的栅极、第四PMOS管（M8）的源极相连。