[发明专利]存储器及其存储方法和对应的电子设备有效

专利信息
申请号: 202011440154.4 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN112420118B 公开(公告)日: 2023-08-11
发明(设计)人: 付妮 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C8/10
代理公司: 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 代理人: 关丽丽;郑建晖
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 存储器 及其 存储 方法 对应 电子设备
【权利要求书】:

1.一种存储器,其特征在于,包括:

第一数据阵列模块,所述第一数据阵列模块用于存储第一N-M位数据;

第二数据阵列模块,所述第二数据阵列模块用于存储第一M位数据;

纠错码ECC阵列模块,所述第二数据阵列模块与所述ECC阵列模块的容量相同,所述ECC阵列模块用于存储第二M位数据;

ECC处理模块,所述ECC处理模块与所述第一数据阵列模块、所述第二数据阵列模块、所述ECC阵列模块连接,且所述ECC处理模块从所述第一数据阵列模块接收第一N-M位数据、从所述第二数据阵列模块接收第一M位数据以及从所述ECC阵列模块接收第二M位数据,以及所述ECC处理模块对所述第一N-M位数据、所述第一M位数据、所述第二M位数据进行处理,得到经处理的数据;

选择模块,所述选择模块与所述第一数据阵列模块、所述第二数据阵列模块、所述ECC阵列模块、所述ECC处理模块连接,所述选择模块从所述第一数据阵列模块接收所述第一N-M位数据、从所述第二数据阵列接收第一M位数据、从所述ECC阵列模块接收所述第二M位数据以及从所述ECC处理模块接收所述经处理的数据,且根据一个选择控制指令而选择性地进行如下之一的输出:

在测试模式时,输出所述第一N-M位数据以及所述第一M位数据;或者

在测试模式时,输出所述第一N-M位数据、所述第一M位数据以及所述第二M位数据;或者

在测试模式时,输出第一经处理的N位数据以及第一经处理的M位数据;或者

在正常模式时,输出第二经处理的N位数据;或者

在正常模式时,输出第二经处理的N位数据以及第二M位数据;

其中,N、M均为正整数,且N大于M。

2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述选择控制指令为第一读选择控制指令,所述选择模块根据所述第一读选择控制指令输出所述第一N-M位数据以及所述第一M位数据。

3.根据权利要求1或2所述的存储器,其特征在于,所述选择控制指令为第二读选择控制指令,所述选择模块根据所述第二读选择控制指令输出所述第一N-M位数据、所述第一M位数据以及所述第二M位数据。

4.根据权利要求1或2所述的存储器,其特征在于,所述ECC处理模块包括ECC解码模块,所述ECC解码模块对所述第一N-M位数据、所述第一M位数据和所述第二M位数据进行ECC解码,得到第一经纠正的N位数据以及第一经纠正的M位数据,且将所述第一经纠正的N位数据以及所述第一经纠正的M位数据输出至所述选择模块。

5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,所述选择控制指令为第三读选择控制指令,所述选择模块根据所述第三读选择控制指令输出所述第一经纠正的N位数据以及所述第一经纠正的M位数据。

6.根据权利要求1或2所述的存储器,其特征在于,所述ECC处理模块包括ECC解码模块,所述ECC解码模块根据所述第二M位数据对所述第一N-M位数据和所述第一M位数据进行ECC解码,得到第二经纠正的N位数据,且将所述第二经纠正的N位数据输出至所述选择模块。

7.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述选择控制指令为第四读选择控制指令,所述选择模块根据所述第四读选择控制指令输出所述第二经纠正的N位数据。

8.根据权利要求6所述的存储器,其特征在于,所述选择控制指令为第五读选择控制指令,所述选择模块根据所述第五读选择控制指令输出所述第二经纠正的N位数据以及所述第二M位数据。

9.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述ECC处理模块包括ECC编码模块,所述ECC编码模块从输入端接收第二N位数据,对所述第二N位数据进行编码,得到第一M位数据,且将所述第一M位数据输出至所述选择模块。

10.根据权利要求9所述的存储器,其特征在于,所述选择模块从输入端接收第二M位数据。

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