[发明专利]用锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的电路和方法有效
| 申请号: | 202011439267.2 | 申请日: | 2020-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN112583403B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
| 发明(设计)人: | 杨康;范麟;游骁斐;孟云;辛伟;王冬梅 | 申请(专利权)人: | 重庆西南集成电路设计有限责任公司 |
| 主分类号: | H03L7/08 | 分类号: | H03L7/08 |
| 代理公司: | 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 | 代理人: | 卢玲 |
| 地址: | 401332 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用锁相环 锁定 指示 唤醒 停止 状态 单片机 电路 方法 | ||
本发明公开了一种用锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的电路和方法;一种通过锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的方法,其特征在于:该方法包括步骤A、将锁相环的锁定指示脚连接单片机的普通I/O口,并通过电容连接单片机的复位脚,将单片机的复位脚通过电阻接电源二,将锁相环的配置接口管脚连接单片机的另一个普通I/O口或者SPI接口;步骤B、初始上电时,电源二通过电阻对电容进行充电,单片机复位脚由低电平变成高电平,完成上电复位启动;步骤C、单片机初始化状态,单片机对锁相环进行初始化配置;步骤D、单片机进入停止状态;步骤E、锁相环失锁状态:电源二通过电阻对电容进行充电,重新唤醒完全停止工作的单片机;本发明可广泛用于电子、通讯等领域。
技术领域
本发明涉及锁相环,具体涉及用锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的电路和方法。
背景技术
通过锁相环芯片实现频率合成是最常用的频率合成方式,而几乎所有的锁相环芯片都需要外部数字电路进行发码配置。在点频源锁相环电路中,一般同时集成了锁相环芯片和单片机。单片机上电之初对锁相环芯片进行初始化配置,然后通过监测锁相环的锁定指示判断锁相环是否锁定。当单片机监测到锁相环失锁(锁定指示为低电平)后,单片机将对锁相环重新发码配置,实现锁相环的可靠锁定。由于锁相环需要单片机实时监测是否失锁,因此单片机需要一直工作,这将增加整个电路的功耗。在小型化电路中,单片机的运行时钟还可能会导致合成射频信号的杂散恶化。现有点频源锁相环电路一般采用两种方式:一种是单片机一直处于工作状态,这将增加整个电路的功耗,在高集成度的微组装产品中,没有完全停止工作的单片机容易导致合成射频信号的杂散恶化;一种是单片机上电初始化配置后,就进入休眠状态,但电平中断电路工作。锁相环失锁后,通过锁定指示低电平唤醒单片机。这种方式虽然可降低单片机大部分功耗,但由于单片机始终无法实现完全停止工作(电平中断检测电路无法关闭)。在高集成度的微组装产品中,单片机需要与锁相环靠很近,仍可能会导致合成射频信号的杂散恶化。综上所述,在点频源锁相环电路中,就需要一种可通过锁相环锁定指示唤醒完全处于停止状态下的单片机的电路。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提出了一种用锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的电路和方法。
本发明的技术方案是,一种通过锁相环锁定指示唤醒停止状态下的单片机的方法,其特征在于:该方法包括:
步骤A、将锁相环的锁定指示脚连接单片机的普通I/O口,并通过电容连接单片机的复位脚,将单片机的复位脚通过电阻接电源二,同时将锁相环的配置接口管脚连接单片机的另一个普通I/O口或者SPI接口;
步骤B、初始上电时,锁相环锁定指示脚保持低电平,上电之初单片机复位脚保持低电平,电源二通过电阻对电容进行充电;经过一定时间后,单片机复位脚由低电平变成高电平,完成上电复位启动,上电复位时间通过电阻对电容的值进行调整。
步骤C、单片机初始化状态:单片机完成上电复位启动后,单片机对锁相环进行初始化配置,然后单片机通过普通I/O口检测锁相环的锁定指示脚是否为高电平,如果不为高电平,说明锁相环未锁定,单片机对锁相环重复初始化配置,直到锁相环的锁定指示脚由低电平变成为高电平,锁相环锁定;本状态下不会改变单片机复位脚的电平状态,单片机复位脚将一直保持高电平,单片机保持正常工作。
步骤D、单片机进入停止状态:当单片机对锁相环初始化配置完成后,即单片机检测到锁相环已完成锁定后,使单片机进入完全停止工作状态,内部所有时钟停止工作,任何中断均不可唤醒单片机;此时单片机电流保持最低值,且由于停止了所有时钟,单片机不会对锁相环的合成信号有任何干扰;但由于单片机特性,在单片机完全停止工作的状态下,可通过单片机的复位脚,重新复位单片机,让单片机重新开始运转。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆西南集成电路设计有限责任公司,未经重庆西南集成电路设计有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011439267.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





