[发明专利]图像传感器以及用于形成图像传感器的方法

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于包括：

衬底；

光电探测器，位于所述衬底中；

沟槽，位于所述衬底中，由所述衬底的侧壁及上表面界定；

第一隔离层，延伸到所述沟槽中且在侧向上环绕所述光电探测器，其中所述第一隔离层沿着所述衬底的界定所述沟槽的所述侧壁及所述上表面延伸，且其中所述第一隔离层包含第一介电材料；

第二隔离层，位于所述第一隔离层之上，其中所述第二隔离层延伸到所述沟槽中且加衬于所述第一隔离层，且其中所述第二隔离层包含第二介电材料；以及

第三隔离层，位于所述第二隔离层之上，其中所述第三隔离层填充所述沟槽且加衬于所述第二隔离层，其中所述第三隔离层包含与所述第一介电材料及所述第二介电材料不同的第三材料，

其中所述第一隔离层的第一厚度对所述第二隔离层的第二厚度的比率是约0.17到0.38。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中沿着所述衬底与所述第一隔离层之间的界面排列有氢原子。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离层直接接触所述衬底的所述侧壁及所述上表面，其中所述第二隔离层直接接触所述第一隔离层，且其中所述第三隔离层直接接触所述第二隔离层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一介电材料由氧化铝组成且所述第二介电材料由五氧化钽组成。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一隔离层由氧化铝及所述氧化铝内的氢组成。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其中层间介电层位于所述衬底的界定所述沟槽的所述侧壁及所述上表面上，其中所述层间介电层将所述衬底与所述第一隔离层隔开，其中所述层间介电层包含与所述第一介电材料不同的第四介电材料，且其中所述第一隔离层加衬于所述层间介电层。

7.一种图像传感器，其特征在于包括：

衬底；

光电探测器，位于所述衬底中且沿着所述衬底的前侧；

沟槽，位于所述衬底中，由所述衬底的侧壁及上表面界定；

第一隔离层，沿着所述衬底的背侧延伸且在侧向上环绕所述光电探测器，其中所述第一隔离层由第一介电质组成，其中所述第一隔离层沿着所述衬底的界定所述沟槽的所述侧壁及所述上表面延伸，且其中所述第一隔离层填充所述沟槽的第一部分；

第二隔离层，位于所述第一隔离层之上且在侧向上环绕所述光电探测器，其中所述第二隔离层由与所述第一介电质不同的第二介电质组成，其中所述第二隔离层沿着所述沟槽延伸且位于所述第一隔离层的侧壁及上表面上，且其中所述第二隔离层填充所述沟槽的第二部分；以及

第三隔离层，位于所述第二隔离层之上且在侧向上环绕所述光电探测器，其中所述第三隔离层由与所述第一介电质及所述第二介电质不同的第三材料组成，其中所述第三隔离层沿着所述沟槽延伸且位于所述第二隔离层的侧壁及上表面上，且其中所述第三隔离层填充所述沟槽的其余部分，

其中所述第一隔离层的第一密度小于所述第二隔离层的第二密度，且其中所述第一密度对所述第二密度的比率是约0.35到0.37。

8.根据权利要求7所述的图像传感器，其中所述第一密度是约2.9g/cm³到3.05g/cm³。