[发明专利]CIS器件的源漏通孔刻蚀方法在审
| 申请号： | 202011421466.0 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635503A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 孙少俊;张栋;杨欣 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 罗雅文 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cis 器件 源漏通孔 刻蚀 方法 | ||
1.一种CIS器件的源漏通孔刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：
提供制作有CIS器件的衬底；
在所述衬底上依次形成第一金属硅化物阻挡层、第二金属硅化物阻挡层、通孔刻蚀停止层、层间介质层；
通过光刻工艺定义源/漏通孔图案，所述CIS器件的源/漏区位于所述栅极结构的两侧；
根据所述源/漏通孔图案，按第一刻蚀选择比自对准刻蚀所述层间介质层，所述第一刻蚀选择比令所述层间介质层的刻蚀速率大于所述通孔刻蚀停止层的刻蚀速率；
根据所述源/漏通孔图案，按第二刻蚀选择比自对准刻蚀所述通孔刻蚀停止层和所述第二金属硅化物阻挡层，所述第二刻蚀选择比令所述通孔刻蚀停止层和所述第二金属硅化物阻挡层的刻蚀速率大于所述第一金属硅化物阻挡层的刻蚀速率；
根据所述源/漏通孔图案，刻蚀所述第一金属硅化物阻挡层，形成源漏通孔。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属硅化物阻挡层的材料为氧化物，所述第二金属硅化物阻挡层的材料为氮化硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔刻蚀阻挡层的材料为氮化硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构包括多晶硅栅和栅极侧墙，所述栅极侧墙由氧化层和氮化硅层组成；
在所述栅极侧墙中，所述氮化硅层位于所述氧化层的外侧。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底中形成有光电二极管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
