[发明专利]一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法有效
申请号: | 202011420076.1 | 申请日: | 2020-12-07 |
公开(公告)号: | CN112442692B | 公开(公告)日: | 2022-09-23 |
发明(设计)人: | 杨晶;刘永宝;李博瀚;周丽娜;刘宇;冯旭;赵强;王世宇;丛兵兵;黄丽 | 申请(专利权)人: | 中国航发哈尔滨轴承有限公司 |
主分类号: | C23F1/28 | 分类号: | C23F1/28;C23F1/40 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 李红媛 |
地址: | 150025 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 32 cr3move 材料 晶粒 腐蚀 方法 | ||
1.一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法,其特征在于一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法是按以下步骤完成的:
一、室温下将32Cr3MoVE材料在到高氯酸乙醇溶液浸泡,得到高氯酸乙醇溶液浸泡后的32Cr3MoVE材料;
步骤一中所述的浸泡时间为1h~2h;
步骤一中所述的高氯酸乙醇溶液的质量分数为5%~10%;
二、室温下将高氯酸乙醇溶液浸泡后的32Cr3MoVE材料在高锰酸钾/氢氧化钠溶液中浸泡,得到晶粒腐蚀后的32Cr3MoVE材料;
步骤二中所述的浸泡时间为10min~30min;
步骤二中所述的高锰酸钾/氢氧化钠溶液由高锰酸钾、氢氧化钠和去离子水混合而成;
步骤二中所述的高锰酸钾/氢氧化钠溶液中高锰酸钾的质量与去离子水的体积比为(2g~4g):(50mL~100mL),氢氧化钠的质量与去离子水的体积比为(2g~4g):(50mL~100mL)。
2.根据权利要求1所述的一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法,其特征在于步骤一中所述的浸泡时间为1h~1.5h。
3.根据权利要求1所述的一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法,其特征在于步骤一中所述的高氯酸乙醇溶液的质量分数为5%~8%。
4.根据权利要求1所述的一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法,其特征在于步骤二中所述的浸泡时间为10min~20min。
5.根据权利要求1所述的一种32Cr3MoVE材料晶粒度腐蚀的方法,其特征在于步骤二中所述的高锰酸钾/氢氧化钠溶液中高锰酸钾的质量与去离子水的体积比为3g:(50mL~100mL),氢氧化钠的质量与去离子水的体积比为3g:(50mL~100mL)。
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