[发明专利]一种多形貌纳米氧化锌的制备方法

权利要求书

1.一种用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于，所述的芯片采用基片制备，设有反应物的物料层和气体层，所述的物料层设有反应物的入口通道、生成物的出口通道；所述的气体层设有二氧化碳气体的通道，通道部分采用透气、不透水的薄膜分隔，得到具有微通道的芯片，使反应在通道内进行，利用微通道芯片为反应容器制备多形貌的纳米氧化锌。

2.根据权利要求1所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于芯片通道直径为1毫米的管状结构。

3.根据权利要求1或2所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于，所述的芯片由上下两层组成，上层是气体层，下层物料层，上层设有气体注入口，下层反应物注入口和生成物出口，上、下两层的通道的大小、形状、结构完全一致，位置对应，上、下二层部分连接，通道部分采用透气、不透水的薄膜分隔，其他部分用胶水紧密相连且不漏气、不漏液。

4.根据权利要求3所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于，芯片的各层为长方体，其长、宽、厚度分别为5厘米、3厘米和2毫米。

5.根据权利要求3所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于，芯片的各层采用基片，所述的基片为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚二甲基硅氧烷（PDMS）、聚碳酸酯（PC）、玻璃、硅片的一种或几种；芯片中的透气、不透水的薄膜为聚四氟乙烯（PTFE）薄膜、硅胶薄膜、聚酯薄膜（PET）薄膜的一种或几种。

6.根据权利要求3所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片，其特征在于，芯片上层的气体注入口为圆形，直径为2毫米，高度为1厘米；芯片下层的反应物注入口和生成物出口为圆形，直径为2毫米，高度为1厘米。

7.一种根据权利要求1至6所述的用于制备多形貌纳米氧化锌的芯片制备方法，其特征在于，芯片的制作包括以下步骤：

（1）用计算机辅助设计软件设计和绘制芯片中各层的微结构和微通道图形，通过微加工技术在各层芯片基材表面加工；

（2）利用粘性薄膜，将制备的各层芯片对齐、粘合、加压和键合，组成最终的中间有透气、不透水的薄膜分隔的层状结构芯片。

8.一种利用权利要求1至6任一项所述芯片制备的多形貌纳米氧化锌方法，其特征在于：包括如下步骤：

将初级氧化锌分散于水中，配置质量浓度为1-10%的分散液，将此分散液和质量浓度为1-5%的盐溶液同时由注射泵注入反应物注入口，调节推进注射泵的流量，使得反应物在芯片中有足够的停留时间，同时，在气体注入口中通入二氧化碳气体，保持二氧化碳流速为10-20m/s，使得二氧化碳透过隔离薄膜与氧化锌溶液充分反应，在生成物出口收集产物，分离、烘干后，600℃煅烧，得到多种形貌的纳米氧化锌。

9.根据权利要求8所述的制备的多形貌纳米氧化锌方法，其特征在于：所述的盐溶液为氯化钠、氯化钾、硫酸钾、硫酸钠、硝酸钠的一种或几种。

10.根据权利要求6所述的制备的多形貌纳米氧化锌方法，其特征在于：注射泵的推进速度0.1 ml/h-0.3 ml/h。