[发明专利]一种超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷，其特征在于，包括化学结构表达式如下：

xB₂O₃·ySiO₂·vN₂O·wMO，其中，N₂O为Na₂O、Cs₂O、K₂O，MO为MgO、CaO、SrO、BaO，x、y、v、w为摩尔比，0.5≤x≤3，1≤y≤3，0＜v≤0.1，0＜w≤0.1。

2.根据权利要求1所述的超低温多元素双掺杂铝电极共烧陶瓷，其特征在于，包括化学结构表达式如下：

xB₂O₃·ySiO₂·vNa₂O·wBaO或xB₂O₃·ySiO₂·vNa₂O·wCaO或xB₂O₃·ySiO₂·vK₂O·wSrO，其中，0.5≤x≤3，1≤y≤3，0＜v≤0.1，0＜w≤0.1。

3.根据权利要求2所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷，其特征在于，包括化学结构表达式如下：

0.8B₂O₃·2.5SiO₂·0.03Na₂O·0.04BaO或0.9B₂O₃·2.6SiO₂·0.01Na₂O·0.07CaO或1.3B₂O₃·2.5SiO₂·0.05K₂O·0.01SrO。

4.权利要求1-3中任一项所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1.按组成分别称取各原料混合加水进行球磨，得到浆料；

S2.从S1所得浆料中分离出陶瓷悬浮浆料，在60-90℃下烘干至恒重，然后将所得干样粉碎研磨，得到粉状物料；

S3.将S2所得粉状物料于200-300℃下煅烧2-3h，得到预烧样品；

S4.对S3所得预烧样品进行造粒、成型，再于530-630℃烧结1-2h，即可。

5.根据权利要求4所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷的制备方法，其特征在于，所述S1中水与混合原料的液固比为3-5:1。

6.根据权利要求4所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷的制备方法，其特征在于，所述S1中采用40-60vt％乙醇水溶液作为球磨介质。

7.根据权利要求4所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷的制备方法，其特征在于，所述S2中粉状物料的粒径为2-50μm。

8.根据权利要求4所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷的制备方法，其特征在于，所述S3中煅烧温度为200-300℃。

9.权利要求1-3中任一项所述的超低温多元素掺杂铝电极共烧陶瓷在制备电子电路或电器产品中的应用。