[发明专利]非电性元素离子注入工艺监控方法、终端和存储介质在审
| 申请号： | 202011414256.9 | 申请日： | 2020-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN112635306A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 唐怡;邢万里 | 申请（专利权）人： | 华虹半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 214028 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非电性 元素 离子 注入 工艺 监控 方法 终端 存储 介质 | ||
1.一种非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1,在控片表面非电性元素离子注入位置采用预设离子进行预注入，所述预设离子是用于改善Si电性的载流子；
S2，执行快速热退火，使预设离子扩散并使控片表面阻值达到预设阻值范围；
S3，进行目标离子注入；
S4，进行方块电阻量测。
2.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述非电性元素离子包括但不限于锗和硅。
3.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述预设离子是Ⅲ族或Ⅴ族离子。
4.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述预设阻值范围根据预注入的源种、能量、剂量以及注入角度指定。
5.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述预设离子包括但不限于硼离子、磷离子或砷离子。
6.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述预注入参数如下：
注入能量范围为1KeV～100KeV，注入剂量范围为1E12-5E15 atom/cm2，注入角度范围为0°～30°。
7.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：所述快速热退火参数如下：退火温度为900℃～1100℃，时间为0S～30S。
8.如权利要求1所述的非电性元素离子注入工艺监控方法，其特征在于：目标离子注入参数如下：
注入能量范围为1KeV～100KeV，注入剂量范围为1E12-5E15atom/cm2，注入角度范围为0°～30°。
9.一种终端设备，其特征在于：其用于执行权利要求1-8任意一项所述非电性元素离子注入工艺监控方法。
10.一种计算机可读存储介质，其存储有计算机程序，其特征在于：所述计算机程序被处理器执行时，实现权利要求1-8任意一项所述非电性元素离子注入工艺监控方法中的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
