[发明专利]三维存储器及其制造方法

说明书

本发明涉及一种三维存储器及其制造方法，该三维存储器包括：衬底，所述衬底上形成有栅极层和介电层交替堆叠的堆叠结构，其中，位于所述堆叠结构底部的栅极层提供底部选择栅极；多个沟道结构，垂直穿过所述堆叠结构并到达所述衬底内；第一栅线隔槽，沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个存储块，所述第一栅线隔槽包括第一隔离区，所述第一隔离区将所述第一栅线隔槽隔断形成多个第一子栅线隔槽；第一连接结构，沿所述第一方向连接被所述第一隔离区隔断的相邻的所述第一子栅线隔槽；以及底部选择栅极切线，沿第一方向延伸并穿过所述第一隔离区中的底部选择栅极，所述底部选择栅极切线将相邻的存储块的底部选择栅极隔开。

技术领域

本发明涉及集成电路的制造领域，尤其涉及一种具有加宽加固结构的三维存储器及其制造方法。

背景技术

为了克服二维存储器件的限制，业界已经研发了具有三维(3D)结构的存储期间，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成度。现有的三维存储器的层数从32层到128层乃至200层以上逐渐增加，层数越高，三维存储器发生倒塌的风险就越大。当三维存储器中的堆叠结构发生倒塌会导致膜层之间对不准、导电接触部不能准确连接到相应功能层等问题，造成器件性能的下降，严重地会造成三维存储器的损坏。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有加宽加固结构的三维存储器及其制造方法。

本发明为解决上述技术问题而采用的技术方案是一种三维存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有栅极层和介电层交替堆叠的堆叠结构，其中，位于所述堆叠结构底部的栅极层提供底部选择栅极；多个沟道结构，垂直穿过所述堆叠结构并到达所述衬底内；第一栅线隔槽，沿第一方向延伸并将所述多个沟道结构划分成至少两个存储块，所述第一栅线隔槽包括第一隔离区，所述第一隔离区将所述第一栅线隔槽隔断形成多个第一子栅线隔槽；第一连接结构，沿所述第一方向连接被所述第一隔离区隔断的相邻的所述第一子栅线隔槽；以及底部选择栅极切线，沿第一方向延伸并穿过所述第一隔离区中的底部选择栅极，所述底部选择栅极切线将相邻的存储块的底部选择栅极隔开。

在本发明的一实施例中，还包括：第二栅线隔槽，位于所述存储块中，所述第二栅线隔槽沿所述第一方向延伸并将所述存储块中的所述多个沟道结构划分成至少两个指存储区，所述第二栅线隔槽包括第二隔离区，所述第二隔离区将所述第二栅线隔槽隔断形成多个第二子栅线隔槽；以及第二连接结构，沿所述第一方向连接被所述第二隔离区隔断的相邻的所述第二子栅线隔槽。

在本发明的一实施例中，所述存储块的底部选择栅极与块选择端连接，用于选择所述存储块。

在本发明的一实施例中，所述堆叠结构的顶部包括顶部选择栅极和沿第一方向延伸的顶部选择栅极切线，所述顶部选择栅极切线将所述顶部选择栅极隔开。

在本发明的一实施例中，所述第一隔离区包括形成在所述堆叠结构的顶部选择栅极层中的第一切口，所述第一切口的深度与所述顶部选择栅极切线的深度相同。

在本发明的一实施例中，所述第二隔离区包括形成在所述堆叠结构的顶部选择栅极层中的第二切口，所述第二切口的深度与所述顶部选择栅极切线的深度相同。

在本发明的一实施例中，每个所述存储块中包括2个所述第二栅线隔槽和3个所述指存储区，每个所述指存储区的面积相等。

在本发明的一实施例中，所述顶部选择栅极切线与相邻的所述第二栅线隔槽之间的沟道结构的行数相同。