[发明专利]单片式湿法清洗装置及其清洗方法在审
| 申请号: | 202011412570.3 | 申请日: | 2020-12-04 |
| 公开(公告)号: | CN112582305A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
| 发明(设计)人: | 吕相林 | 申请(专利权)人: | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 贺妮妮 |
| 地址: | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码: | 重庆;50 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 单片 湿法 清洗 装置 及其 方法 | ||
1.一种单片式湿法清洗装置,其特征在于,所述清洗装置包括:腔室、旋转平台、两个以上喷嘴、气化装置、抽真空装置、管路;
所述腔室用于容置所述旋转平台,所述旋转平台用于承载晶圆且带动所述晶圆旋转,其中一个所述喷嘴用于向所述晶圆喷淋去离子水气体;
所述气化装置设置于所述腔室外部并通过所述管路与所述喷嘴连接,用于将通入其内的去离子水气化为所述去离子水气体;
所述抽真空装置用于对所述腔室抽真空。
2.根据权利要求1所述的单片式湿法清洗装置,其特征在于:所述气化装置为加热器或负压装置,所述加热器通过加热的方式将去离子水加热气化为所述去离子水气体,所述负压装置通过提供负压将去离子水气化为所述去离子水气体。
3.根据权利要求1所述的单片式湿法清洗装置,其特征在于:所述抽真空装置为真空泵,与所述腔室连接。
4.一种单片式湿法清洗方法,其特征在于,所述清洗方法包括:
1)提供如权利要求1至3中任意一项所述的单片式湿法清洗装置;
2)将晶圆固定置于所述旋转平台上,所述晶圆上具有深孔;
3)于所述晶圆表面及所述深孔侧壁、底壁蒸镀一层薄水膜:先通过所述抽真空装置将所述腔室抽真空;然后将去离子水通入所述气化装置中气化为所述去离子水气体;接着所述去离子水气体通过所述管路进入所述喷嘴,利用真空蒸镀法的原理,所述喷嘴喷淋所述去离子水气体在所述晶圆表面及所述深孔侧壁、底壁,以形成所述薄水膜,喷淋过程中所述晶圆以预设转速进行旋转;
4)进行药液喷淋过程:先将所述腔室去真空;然后将所述药液通入用于药液喷淋的所述喷嘴,当所述药液通过所述喷嘴喷淋至所述晶圆表面时,所述药液沿着所述薄水膜快速且最大量进入到所述深孔底部,实现对所述晶圆的有效清洗。
5.根据权利要求4所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于:步骤3)与步骤4)交替实施,直至清洗所述晶圆的所有药液喷淋结束。
6.根据权利要求4所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于:步骤4)中的所述药液为清洗所述晶圆的所有药液。
7.根据权利要求4所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于,还包括步骤5):在氮气氛围下对清洗后的所述晶圆进行干燥过程。
8.根据权利要求4所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于:步骤3)中所述腔室抽真空的真空度介于3mtorr~10mtorr之间。
9.根据权利要求8所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于:步骤3)中所述腔室抽真空的真空度介于3mtorr~5mtorr之间。
10.根据权利要求4所述的单片式湿法清洗方法,其特征在于:步骤3)中,喷淋过程中所述晶圆以预设转速进行旋转,所述预设转速介于600rpm~800rpm之间;所述去离子水通入所述气化装置的流量介于600cc/min~800cc/min之间;所述去离子水气体对所述晶圆的喷淋时间介于5s~30s之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





