[发明专利]一种形成封装件的方法及封装件有效
申请号: | 202011411137.8 | 申请日: | 2020-12-04 |
公开(公告)号: | CN112599427B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 李维平 | 申请(专利权)人: | 上海易卜半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L25/18;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰 |
地址: | 201700 上海市青浦区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 形成 封装 方法 | ||
1.一种形成封装件的方法,其特征在于,包括:
提供载体和至少一组芯片,其中每组芯片至少包括第一芯片和第二芯片;
将每组芯片包含的所述第一芯片和所述第二芯片正面朝上装设于所述载体的表面,其中所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面具有第一凸点;
将互联器件附接至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面,以使每组芯片包含的所述第一芯片通过所述互联器件能够电性连接至所述第二芯片;
在所述第一芯片和所述第二芯片的周围形成一塑封层,其中所述第一芯片和所述第二芯片和所述互联器件嵌于所述塑封层内;
在所述塑封层远离所述载体的一侧表面进行减薄处理,以暴露出所述第一芯片和所述第二芯片的所述第一凸点以及经减薄的互联器件;
在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成第二凸点;以及,移除所述载体,
其中,所述互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件,
其中,在所述塑封层暴露出所述第一凸点和所述经减薄的互联器件的一侧表面形成重布线层,使得所述重布线层能够电性连接至所述第一凸点和所述经减薄的互联器件。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述芯片组数大于1,所述方法还包括:
移除所述载体之后,对形成的所述封装件进行切割以获得多个单元封装体,其中每个所述单元封装体包含一组芯片。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述互联器件的第一侧面的第一区域形成有多个第一焊盘,用于分别接合至所述第一芯片的第一凸点,所述互联器件的第一侧面的第二区域形成有多个第二焊盘,用于分别接合至所述第二芯片的第一凸点,在所述互联器件的所述多个第一焊盘和所述多个第二焊盘之间形成有扇出电路。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述互联器件形成为无源器件或有源器件。
5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,将互联器件附接至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面,还包括:
将所述互联器件热压接合至所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面,其中,所述互联器件形成为柔性电路。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
在所述重布线层上形成多个所述第二凸点。
7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成第二凸点,包括:
在所述塑封层暴露出所述第一凸点的一侧表面形成焊料覆盖层。
8.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述第一芯片的上方表面具有多个高密度第一凸点,所述第二芯片的上方表面具有多个低密度第一凸点,其中,所述高密度第一凸点的接触面小于所述低密度第一凸点,所述方法还包括:
将所述互联器件的第一焊盘对准接合至所述第一芯片的所述高密度第一凸点,以使所述互联器件的第二焊盘以所述高密度第一凸点为参考基准自对准接合至所述第二芯片的所述低密度第一凸点。
9.一种封装件,其特征在于,包括:
第一芯片和第二芯片,其中所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面具有多个第一凸点;
互联器件,附接于所述第一芯片和所述第二芯片的上方表面,所述第一芯片通过所述互联器件能够电性连接至所述第二芯片;
塑封层,形成于所述第一芯片和所述第二芯片的周围,其中所述第一芯片和所述第二芯片和所述互联器件嵌于所述塑封层内,所述第一芯片和所述第二芯片的所述第一凸点以及所述互联器件暴露于所述塑封层的上方表面;
多个第二凸点,形成在所述塑封层的上方表面,
其中,所述互联器件形成为具有垂直互联通孔的互联器件,
所述封装件还包括:重布线层,其形成在所述塑封层暴露出所述第一凸点和所述互联器件的一侧表面,其中,所述重布线层能够电性连接至所述第一凸点和所述互联器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造