[发明专利]掩膜版及其制备方法

权利要求书

1.一种掩膜版，其特征在于，包括开口区和围绕所述开口区设置的遮挡区，每个所述开口区对应蒸镀一个子像素，所述遮挡区包括多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述半刻蚀结构用于在所述掩膜版沿第一方向拉伸过程中降低所述掩膜版在第二方向上的内缩量；其中，所述第一方向和所述第二方向交叉；

所述半刻蚀结构为一字型或工字型；

所述半刻蚀结构为一字型时，沿所述第一方向延伸的一字型的所述半刻蚀结构和沿所述第二方向延伸的一字型的所述半刻蚀结构间隔排布，所述一字型的所述半刻蚀结构的延伸长度大于所述开口区的长度，以保证任意相邻两个开口区之间同时存在沿两个相互垂直方向延伸的半刻蚀结构；

所述半刻蚀结构为工字型时，所述半刻蚀结构包括沿所述第一方向延伸的第一半刻蚀部，和沿所述第二方向延伸的第二半刻蚀部，所述第一半刻蚀部和所述第二半刻蚀部为一体结构；所述第一半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离，所述第二半刻蚀部至少横跨两个所述开口区；或所述第一半刻蚀部至少横跨两个所述开口区，所述第二半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离。

2.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构沿相邻所述开口区之间的遮挡区的中线排布。

3.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述一字型的所述半刻蚀结构的一端与一所述开口区的中线对齐，另一端与相邻的所述开口区的中线对齐。

4.根据权利要求1所述的掩膜版，其特征在于，所述半刻蚀结构的深度小于或等于所述掩膜版的厚度的二分之一。

5.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，所述掩膜版的制备方法包括：

提供基材；

在所述基材的一面形成开口区的蒸镀面图形；

刻蚀所述基材上所述蒸镀面图形所在一面的背面，在所述开口区形成像素通孔，每个所述开口区对应蒸镀一个子像素，以及在遮挡区形成多个半刻蚀结构，多个所述半刻蚀结构围绕所述开口区设置，所述遮挡区围绕所述开口区设置；所述半刻蚀结构为一字型或工字型；

所述半刻蚀结构为一字型时，沿第一方向延伸的一字型的所述半刻蚀结构和沿第二方向延伸的一字型的所述半刻蚀结构间隔排布，所述一字型的所述半刻蚀结构的延伸长度大于所述开口区的长度，以保证任意相邻两个开口区之间同时存在沿两个相互垂直方向延伸的半刻蚀结构；

所述半刻蚀结构为工字型时，所述半刻蚀结构包括沿所述第一方向延伸的第一半刻蚀部，和沿所述第二方向延伸的第二半刻蚀部，所述第一半刻蚀部和所述第二半刻蚀部为一体结构；所述第一半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离，所述第二半刻蚀部至少横跨两个所述开口区；或所述第一半刻蚀部至少横跨两个所述开口区，所述第二半刻蚀部的延伸长度等于相邻两个所述开口区的中线之间的距离。

6.根据权利要求5所述的掩膜版的制备方法，其特征在于，

所述蒸镀面图形的刻蚀深度小于所述基材的厚度。