[发明专利]垂直腔面发射激光器

权利要求书

1.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：

基板；

第一反射层，布置在所述基板上；

活动层，布置在所述第一反射层上；

氧化层，布置在所述活动层上，且包含位于其中心的第一孔；

第二反射层，布置在所述氧化层和所述第一孔上；

帽层，布置在所述氧化层与所述第二反射层之间；及

第一电极，布置在所述第二反射层上，

其中，所述帽层包括延伸部，所述延伸部向所述第一孔的内侧突出。

2.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括欧姆层，所述欧姆层布置在第一电极与第二反射层之间，

所述第一反射层的反射率高于所述第二反射层的反射率，

所述氧化层和所述帽层含有铝，所述氧化层的铝组分高于所述帽层的铝组分，

所述欧姆层包括布置在其中心的第二孔，

所述第一孔的直径大于所述第二孔的直径。

3.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述第二反射层包含多个第一子层和多个第二子层，

多个所述第一子层和多个所述第二子层交替布置，

所述第一子层的折射率高于所述第二子层的折射率。

4.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述第二反射层包括台阶部，所述台阶部布置在所述第一孔上，

所述第二反射层越靠近所述第一电极，所述台阶部的宽度越窄。

5.根据权利要求4所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述第二反射层包括形成在最外层的第一凹槽，

所述第一凹槽的直径小于所述第一孔的直径。

6.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述延伸部的厚度小于所述帽层的厚度。

7.根据权利要求1所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极布置在所述基板的下部。

8.根据权利要求2所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述欧姆层的能带隙等于或低于所述基板的能带隙，

所述欧姆层的能带隙等于或低于从所述活动层发射的光的能量。

9.根据权利要求8所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述第二孔的直径是所述第一孔的直径的6％～98％。

10.根据权利要求9所述的垂直腔面发射激光器，其特征在于，

所述欧姆层包括AlInGaAs、InGaAs、GaAs、AlInGaAsSb、AlInGaAsPSb、InGaAsP、InGaAsPSb、GaAsSb、InGaAsSb、InAsSb、AlGaAsSb、AlGaAsP及AlGaInAsP中的任一种。