[发明专利]一种低压静止无功发生器的IGBT关断尖峰抑制电路

权利要求书

1.一种低压静止无功发生器的IGBT关断尖峰抑制电路，应用于无功补偿装置的三电平I型拓扑结构，包含电容吸收电路、有源钳位电路，其特征在于：

电容吸收电路，利用电容的吸收作用，降低IGBT关断电压尖峰；

有源钳位电路，减小电能质量治理装置在高母线电压、大电流情况下工作时的IGBT关断尖峰。

2.根据权利要求1所述的一种电能质量治理装置的电压尖峰吸收电路，其特征在于，所述电容吸收电路由在串联的三电平I型结构IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4单管的集电极和在每个IGBT1、IGBT2、IGBT3、IGBT4两端并联的电容C1、C2、C3、C4组成，其中电容C1、C2、C3、C4串联。

3.根据权利要求2所述的一种电能质量治理装置的IGBT关断尖峰抑制电路，其特征在于，所述电容吸收电路的电容容值越大，尖峰降低越明显，而随着电容增大，IGBT关断延时增大，且电容损耗增大，考虑尖峰降低因素与损耗，电容C1、C2、C3、C4容值设定为2.2nF。

4.根据权利要求1所述的一种电能质量治理装置的IGBT关断尖峰抑制电路，其特征在于，所述有源钳位电路包含稳压管VP1、VP2，电阻R1、R2和二极管VD1、VD2，其中，稳压管VP1、电阻R1和二极管VD1串联，稳压管VP2、电阻R2和二极管VD2串联，同时在IGBT1管发射极，IGBT2管集电极中间与IGBT2管栅极驱动之间并联稳压管VP1，电阻R1和二极管VD1；在IGBT2管发射极，IGBT3管集电极中间与IGBT3管栅极驱动之间并联稳压管VP2，电阻R2和二极管VD2。

5.根据权利要求4所述的一种电能质量治理装置的IGBT关断尖峰抑制电路，其特征在于，所述稳压管VP1、VP2采用SMBJ400A，工作电压447V-494V，最大钳位电压648V。