[发明专利]单晶制备装置及单晶的制备方法在审
| 申请号： | 202011405782.9 | 申请日： | 2020-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN112899771A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 上田亮辅;下村库一;杉田圭谦 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B13/12 | 分类号： | C30B13/12;C30B29/06;C30B13/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;杨戬 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 装置 方法 | ||
1.单晶制备装置，其特征在于，其是用于基于FZ法的单晶的制备的单晶制备装置，具备：
上轴，其将原料棒支承为能够旋转和能够升降；
下轴，其与上述上轴同轴配置，将配置在上述原料棒的下方的晶种支承为能够旋转和能够升降；
感应加热线圈，其加热上述原料棒而生成熔融带；和
掺杂剂供给管，其设置在上述感应加热线圈的上面侧，向上述熔融带供给掺杂剂气体，
上述感应加热线圈具有从上面贯通至下面的开口部，
上述掺杂剂供给管的前端部插入到上述开口部内。
2.权利要求1所述的单晶制备装置，其中，上述掺杂剂供给管的前端部配置在自上述单晶的中心起0.7R以上且1R以下的区域内(其中R为上述单晶的最大半径)的正上方。
3.权利要求1或2所述的单晶制备装置，其中，上述开口部是从上述感应加热线圈的内侧开口部延伸至最外周的狭缝。
4.单晶的制备方法，其特征在于，其是基于用感应加热线圈加热原料棒而形成熔融带，使分别位于上述熔融带的上方和下方的上述原料棒和单晶下降而使上述单晶生长的FZ法的单晶的制备方法，
从上述感应加热线圈的上面侧朝向位于上述感应加热线圈的下面侧的上述熔融带喷射掺杂剂气体。
5.权利要求4所述的单晶的制备方法，其中，朝向存在于自上述单晶的中心起0.7R以上且1R以下的区域内(其中R为上述单晶的最大半径)的上述熔融带供给上述掺杂剂气体。
6.权利要求4或5所述的单晶的制备方法，其中，通过从上述感应加热线圈的内侧开口部延伸至最外周的狭缝向上述熔融带喷射上述掺杂剂气体。
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