[发明专利]一种电压产生电路及单调计数器有效
| 申请号: | 202011404516.4 | 申请日: | 2020-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN112562763B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
| 发明(设计)人: | 管小进 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | G11C16/14 | 分类号: | G11C16/14;G11C16/24 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 吕姝娟 |
| 地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 电压 产生 电路 单调 计数器 | ||
1.一种电压产生电路,其特征在于,所述电路包括:
一第一电流产生单元,分别电连接于一第一节点以及一第二节点,所述第一电流产生单元被配置为接收一参考电压,并在所述第一节点输出一第一控制信号、在所述第二节点产生一第一电流;
一第二电流产生单元,分别电连接于所述第一节点、所述第二节点以及一第三节点,所述第二电流产生单元被配置为响应所述第一控制信号,以根据所述第一电流在所述第三节点产生一第二电流;
一第一晶体管,其控制端以及第一端电连接于所述第三节点,其第二端电连接于一第四节点,以将所述第二电流传递至所述第四节点;以及
一预充电电压产生单元,电连接于所述第四节点,所述预充电电压产生单元被配置为接收所述第二电流、并在所述第四节点产生一预充电电压;
所述第一晶体管进一步对所述预充电电压进行电压抬升,进而在所述第三节点输出一输出电压;
其中,所述第一电流产生单元包括一第一电阻,其第一端电连接于所述第二节点,其第二端电连接于一地电压端,所述第一电阻被配置在所述第二节点产生与所述参考电压相关的所述第一电流;
所述预充电电压产生单元包括一第三电阻;所述第三电阻的第一端电连接于所述第四节点,其第二端电连接于一地电压端,所述第三电阻被配置为根据所述第二电流在所述第四节点产生所述预充电电压;
所述第一电阻与所述第三电阻的温度系数相同。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述参考电压由一带隙基准电压源提供。
3.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一电流产生单元还包括:
一第一运算放大器,其第一输入端用于接收所述参考电压,其第二输入端电连接于所述第二节点,其输出端电连接于所述第一节点、以输出所述第一控制信号。
4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第二电流产生单元包括一电流镜;所述电流镜被配置为产生与所述第一电流成比例的所述第二电流,并使所述第二电流流向所述第三节点。
5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,所述电流镜包括:
一第一PMOS晶体管,其栅端接收所述第一控制信号,其源端接收一电源电压,其漏端耦接至所述第二节点;以及
一第二PMOS晶体管,其栅端接收所述第一控制信号,其源端接收所述电源电压,其漏端电连接于所述第三节点。
6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,所述第二电流产生单元进一步包括一第二电阻;所述第二电阻的第一端电连接于所述第一PMOS晶体管的漏端,其第二端电连接于所述第二节点,所述第二电阻被配置为使得所述第一PMOS晶体管的漏端的电压高于所述参考电压。
7.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第三电阻为一阻值可调电阻。
8.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述第一电阻与所述第三电阻的工艺匹配。
9.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一晶体管为一NMOS晶体管;所述NMOS晶体管的栅端与其漏端相连后电连接于所述第三节点,其源端电连接于所述第四节点;其中,所述第一晶体管的阈值电压与接收所述输出电压的晶体管的阈值电压相同。
10.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路进一步包括一电压钳位单元,所述电压钳位单元包括一第二运算放大器;所述第二运算放大器的第一输入端电连接于所述第三节点以接收所述输出电压,其第二输入端与其输出端相连;所述第二运算放大器被配置为对所述输出电压进行钳位,输出钳位后的输出电压。
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