[发明专利]一种线性化偏置电路及射频功率放大器

权利要求书

1.一种线性化偏置电路，其特征在于，包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、第一电阻R1、基极镇流电阻R0、第四电阻R4、第二电容C2和RC电路；其中：

所述第四电阻R4的一端连接参考电压V_ref，另一端与所述第二三极管Q2的集电极电性连接；

所述第二三极管Q2的发射极与所述第一三极管Q1的集电极电性连接；

所述第二三极管Q2基极和集电极电性连接，并与所述第三三极管Q3的基极电性连接；

所述第一三极管Q1的发射极接地；

所述第一三极管Q1的基极与所述第一电阻R1的一端电性连接；

所述第一电阻R1的另一端与所述第三三极管Q3的发射极电性连接；

所述第二电容C2一端接地，另一端与所述第三三极管Q3的基极连接；

所述第三三极管Q3集电极的电压连接偏置电压V_bias；

所述第三三极管Q3的发射极与所述基极镇流电阻R0的一端电性连接；

所述RC电路并联在所述基极镇流电阻R0的两端；

所述基极镇流电阻R0的另一端作为线性化偏置电路的输出端。

2.根据权利要求1所述的一种线性化偏置电路，其特征在于，所述RC电路包括RC电阻Rb、RC电容Cb；所述RC电阻Rb和所述RC电容Cb串联后并联在所述基极镇流电阻R0两端。

3.一种功率放大器，其特征在于，包括射频放大单元电路和如权利要求1或2所述的线性化偏置电路；所述射频放大单元包括偏置三极管Q0，第三电容C3；其中：所述第三电容C3的一端作为信号输入端，第三电容C3的另一端与所述偏置三极管Q0的基极电性连接；

所述偏置三极管Q0的发射极接地，偏置三极管Q0的集电极作为信号输出端；

所述线性化偏置电路的输出端与偏置三极管Q0的基极电性连接。

4.根据权利要求3所述的一种功率放大器，其特征在于，所述射频放大单元还包括射频扼流圈L，所述射频扼流圈L的一端与偏置三极管Q0的集电极电性连接，射频扼流圈L的另一端的连接供电电压V_cc。

5.根据权利要求4所述的一种功率放大器，其特征在于，所述射频放大单元还包括输出匹配电路，所述输出匹配电路的输入端与所述偏置三极管Q0的集电极电性连接，输出匹配电路的输出端作为信号输出端。

6.根据权利要求3所述的一种功率放大器，其特征在于，所述第一三极管Q1与所述偏置三极管Q0的距离小于电路中其他元件与偏置三极管Q0的距离。

7.根据权利要求3所述的一种功率放大器，其特征在于，所述第一电阻R1与基极镇流电阻R0的比值等于偏置三极管Q0和第一三极管Q1的发射极面积之比。

8.根据权利要求5所述的一种功率放大器，其特征在于，所述第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3和偏置三极管Q0均采用砷化镓材料的异质结双极性晶体管。

9.根据权利要求5所述的一种功率放大器，其特征在于，所述RC电容Cb、第二电容C2、第三电容C3均采用无极性电容。

10.根据权利要求5所述的一种功率放大器，其特征在于，所述第一电阻R1、RC电阻Rb、基极镇流电阻R0、第四电阻R4均采用精度为1％或精度更高的精密电阻。