[发明专利]半导体器件制造中的氧化锡薄膜间隔物

权利要求书

1.一种处理半导体衬底的方法，所述方法包括：

(a)提供半导体衬底，所述半导体衬底包括位于蚀刻停止层材料上的多个突出特征，以及与所述突出特征和所述蚀刻停止层材料两者接触的暴露的SnO₂层，其中所述SnO₂层覆盖所述突出特征的侧壁和水平表面两者；以及

(b)从所述半导体衬底的水平表面完全去除所述SnO₂层，而不完全去除位于所述突出特征的所述侧壁处的所述SnO₂层。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层材料和所述突出特征的材料被选择为使得对于第一蚀刻化学过程，所述蚀刻停止层材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1，以及对于第二蚀刻化学过程，所述突出特征的所述材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述突出特征包括非晶碳或非晶硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述蚀刻停止层材料包括含硅材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻停止层材料包括选自氮化硅、氧化硅及其组合的含硅化合物。

6.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻停止层材料包括氧化硅。

7.根据权利要求4所述的方法，其中所述蚀刻停止层材料包括氮化硅。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

(c)在(b)之后，完全去除所述突出特征，而不完全去除位于所述突出特征的所述侧壁处的所述SnO₂层，由此在所述蚀刻停止层材料上形成多个SnO₂间隔物。

9.根据权利要求8所述的方法，其进一步包括在SnO₂间隔物的存在下蚀刻所述蚀刻停止层材料以暴露下面的材料。

10.一种用于处理半导体衬底的装置，所述装置包括：

(a)处理室，其包括被配置为在处理期间保持所述半导体衬底的半导体衬底保持器，以及

(b)控制器，其包括用于引起对半导体衬底的处理的程序指令，所述半导体衬底包括位于蚀刻停止层材料上的多个突出特征，以及与所述突出特征和所述蚀刻停止层材料两者接触的暴露的SnO₂层，其中所述SnO₂层覆盖所述突出特征的侧壁和水平表面两者，其中所述程序指令包括用于引起以下的指令：

(i)从所述半导体衬底的水平表面完全去除所述SnO₂层，而不完全去除位于所述突出特征的所述侧壁处的所述SnO₂层。

11.根据权利要求10所述的装置，其中所述蚀刻停止层材料和所述突出特征的材料被选择为使得对于第一蚀刻化学过程，所述蚀刻停止层材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1，以及对于第二蚀刻化学过程，所述突出特征的所述材料的蚀刻速率与SnO₂的蚀刻速率的比率大于1。

12.根据权利要求10所述的装置，其中所述突出特征包括非晶碳或非晶硅。

13.根据权利要求10所述的装置，其中所述蚀刻停止层材料包括含硅材料。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述蚀刻停止层材料包括选自氮化硅、氧化硅及其组合的含硅化合物。

15.根据权利要求10所述的装置，其中所述蚀刻停止层材料包括氧化硅。