[发明专利]一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺

说明书

本发明公开了一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，该工艺包括以下步骤：化学品清洗，取适量的氨水、双氧水与水，按照配比1：3‑4:4‑6配制，并在配制而成的液体中常温下浸泡30min‑60min，直至表面古铜色污染物转变为紫黑色；超高压水枪冲洗，水枪头部距污染物15±5cm，冲洗20‑40s，直至表面污染物完全去除。该种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，用化学品浸泡一段时间后，其表面钛或氮化钛膜被腐蚀，与产品界面结合强度降低，再采用超高压水枪冲洗去除污染物。本发明因不需要将表面钛或氮化钛膜完全通过浸泡腐蚀掉，大大缩短了工艺时长，提高了生产效率，同时减少了化学品的消耗，降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及钛或氮化钛膜去除工艺技术领域，具体为一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺。

背景技术

氮化钛膜是指由钛氮化合物组成的薄膜。氮化钛属于间隙化合物，具有美丽的金黄色光泽，化学稳定性好，熔点高达3000℃，维氏显微硬度为20GPa左右；

氮化钛属于间隙化合物，具有美丽的金黄色光泽，化学稳定性好，熔点高达3000℃，维氏显微硬度为20GPa左右。氮化钛以面心立方的-TiN和体心四方的Ti2N两种相存在Ti2N的Ti/N比变化范围很窄，而的N/Ti比的变化范围则很宽。当N/Ti偏离1时，TiN中存在原子空位。这两种相的颜色和硬度相近。使用的氮化钛镀层，其中常常TiN和Ti2N两相共存，其组成比可以通过工艺调节；

而现有技术方案采用化学品浸泡的单一方式去除钛或氮化钛膜，存在耗时长，化学品量消耗大的问题，为此，提出一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供了一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，解决了现有技术方案采用化学品浸泡的单一方式去除钛或氮化钛膜，存在耗时长，化学品量消耗大的问题。

本发明提供如下技术方案：一种用于半导体设备表面钛或氮化钛膜去除工艺，该工艺包括以下步骤：

步骤一、化学品清洗，取适量的氨水、双氧水与水，按照配比1：3-4:4-6配制而成，优选为1:3.5:5，并将配制而成的氨水、双氧水与水常温下浸泡30min-60min，直至表面古铜色污染物转变为紫黑色为止；

步骤二、超高压水枪冲洗，水枪头部距污染物15±5cm，冲洗20-40s，直至表面污染物完全去除为止；

步骤三、喷砂工艺，对钛或氮化钛膜去除后的产品表面进行喷砂处理，用以改变产品表面粗糙度，采用24目白刚玉砂，压力为4±2kg/㎝²，喷射口距产品保持17.5±2.5cm，10-20min后，检查产品粗糙度，5-8μm合格；

步骤四、利用超纯水对钛或氮化钛膜去除后进行喷砂处理后的产品表面进行清洗10-20min；

步骤五、将待烘干的半导体设备放置在烘床上，开启风机，对半导体设备进行初步风冷，形成对流空气经过半导体设备表面进行风冷，待风冷完成后，开启加热器，将温度调至高温加热挡，取出半导体设备后，将半导体设备均匀的散布在晾晒架上，将半导体设备放入低温烘烤箱内，将温度调至低温保温挡，最后将经过烘干完成后的半导体设备放置，即完成烘干。

优选的，所述氨水浓度为25％，双氧水浓度为30％，水为去离子水。

优选的，所述超高压水枪的压力8000-10000psi。

优选的，所述超纯水的电阻率达到18MΩ*cm(25℃)。

优选的，所述氨水的含氮量为15％-18％。

优选的，所述氨水在低温下，溶液的浓度受到纯水冰、纯氨冰或氨的水合物析出的限制。