[发明专利]一种正极活性物质及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种正极活性物质，其中，所述正极活性物质的表面和/或孔隙中包覆有包覆层，所述包覆层为氧化物包覆层或氮化物包覆层，所述包覆层为第一包覆物质源和第二包覆物质源反应后得到的。

2.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中，所述包覆层的厚度为≤10nm。

3.一种权利要求1或2所述的正极活性物质的制备方法，所述方法包括以下步骤：

S1)将正极活性物质放入预先充满呈惰性的气体的原子层沉积设备的反应室中，保温；

S2)向原子层沉积设备的反应室中通入第一包覆物质源，所述第一包覆物质源吸附在正极活性物质的孔隙和表面上；再向原子层沉积设备的反应室中通入与第一包覆物质源不反应的气体；

S3)向原子层沉积设备的反应室中通入第二包覆物质源，所述第二包覆物质与吸附在正极活性物质的孔隙和表面上的第一包覆物质源发生化学反应，形成包覆层；再向原子层沉积设备的反应室中通入呈惰性的气体；

S4)重复步骤S2)和步骤S3)至少一次，即得到表面具有包覆层的正极活性物质。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其中，步骤S1)中，所述正极活性材料选自镍钴锰酸锂类正极活性材料(Li_zNi_xCo_yMn_1-x-yO₂，其中0.95≤z≤1.05，x0，y0，x+y1)、镍钴铝酸锂类正极活性材料(Li_zNi_xCo_yAl_1-x-yO₂，其中0.95≤z≤1.05，x0，y0，0.8≤x+y1)、镍钴锰铝酸锂类正极活性材料(Li_zNi_xCo_yMn_wAl_1-x-y-wO₂，其中，0.95≤z≤1.05，x0，y0，w0，0.8≤x+y+w1)。

5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其中，所述方法还包括如下步骤：

S0)对正极活性物质进行热处理；和/或，

步骤S0)中，所述热处理的温度为60-350℃。

6.根据权利要求3-5任一项所述的制备方法，其中，步骤S1)中，所述原子层沉积设备的反应室中的温度为60-350℃；和/或，

步骤S1)中，所述呈惰性的气体为氮气、氩气和氦气中的至少一种；和/或，

步骤S2)中，所述第一包覆物质源为有机金属化合物或金属卤化物；和/或，

所述有机金属化合物选自三甲基铝、三乙基铝、三乙氧基铝、三甲基硼烷、三乙基硼烷、乙硼烷、三异丙醇钛、四乙氧基钛、四异丙醇钛、四叔丁醇锆、三甲基镁、三乙基镁、五乙氧基钽、三甲基锌或三乙基锌中的至少一种；所述金属卤化物选自三溴化铝、三氯化铝、三溴化硼、四碘化钛、四氯化钛、四氯化锆、四碘化锆或五氯化钽中的至少一种；和/或，

步骤S2)中，与第一包覆物质源不反应的气体选自氩气、氮气或氦气中的至少一种。