[发明专利]一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法

权利要求书

1.一种AMOLED像素驱动电路，其特征在于，包括：第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)、第一电容(C1)、第二电容(C2)以及有机发光二极管(OLED)；

所述第一薄膜晶体管(T1)栅极接入第一扫描控制信号(VSCAN1)，源极电性连接于节点(A)，漏极接入初始化驱动电压(VCOMP)；

所述第二薄膜晶体管(T2)栅极接入第二扫描控制信号(VSCAN2)，漏极电性连接于节点(A)，源极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极；

所述第三薄膜晶体管(T3)栅极接入第三扫描控制信号(VSCAN3)，漏极电性连接于有机发光二极管(OLED)的阴极，源极电性连接于第二薄膜晶体管(T2)的源极；

所述第四薄膜晶体管(T4)栅极接入第四扫描控制信号(VSCAN4)，漏极电性连接于第五薄膜晶体管(T5)的源极，源极连接于第二电容(C2)的一端；

所述第五薄膜晶体管(T5)栅极电性连接于节点(A)，漏极电性连接于第三薄膜晶体管(T3)的源极，源极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极；

所述第六薄膜晶体管(T6)栅极接入电源高压(VDD)，漏极电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的漏极，源极接入数据电压(VDATA)；

所述第一电容(C1)一端电性连接于节点(A)，另一端接入地电压(GND)；

所述第二电容(C2)一端电性连接于第四薄膜晶体管(T4)的源极，另一端电性连接于节点(A)；

所述有机发光二极管(OLED)阳极接入电源高压(VDD)。

2.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四、第五、第六薄膜晶体管(T1、T2、T3、T4、T5、T6)均为低温多晶硅薄膜晶体管、氧化物半导体薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管或者有机薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述第一、第二、第三、第四扫描控制信号(VSCAN1、VSCAN2、VSCAN3、VSCAN4)、初始化驱动电压(VCOMP)、数据电压(VDATA)均通过外部时序控制器提供。

4.根据权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路，其特征在于，所述AMOLED像素驱动电路的驱动时序依次包括：

(1)初始化阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)和初始化驱动电压(VCOMP)提供高电位，第二扫描控制信号(VSCAN2)、第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)均提供低电位；

(2)数据电压输入阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)、第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)、初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，第二扫描控制信号(VSCAN2)提供高电位；

(3)发光阶段：第一扫描控制信号(VSCAN1)、第二扫描控制信号(VSCAN2)、初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，第三扫描控制信号(VSCAN3)、第四扫描控制信号(VSCAN4)提供高电位。

5.适用于权利要求1所述的AMOLED像素驱动电路的一种AMOLED像素驱动方法，其特征在于，具体包括以下步骤：

S1：进入初始化阶段；

所述第一扫描控制信号(VSCAN1)和所述初始化驱动电压(VCOMP)提供高电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)、所述数据电压(VDATA)提供低电位0V；所述第一薄膜晶体管、所述第六薄膜晶体管(T1、T6)打开，所述第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管(T2、T3、T4、T5)关闭，所述第五薄膜晶体管(T5)栅极与初始化驱动电压(VCOMP)高电位短接，此时第五薄膜晶体管栅极电压(VG_T5)初始化为VCOMP_H，VCOMP_H是初始化驱动电压(VCOMP)提供的高电位；

S2：进入数据电压输入阶段；

所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)、所述初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位，所述第二扫描控制信号(VSCAN2)、所述数据电压(VDATA)提供高电位；所述第二薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管(T2、T5、T6)打开，所述第一薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管(T1、T3、T4)关闭，所述第五薄膜晶体管(T5)处于二极管连接状态，此时第五薄膜晶体管栅极电压(VG_T5)通过第二薄膜晶体管(T2)、第五薄膜晶体管(T5)、第六薄膜晶体管(T6)放电至VDATA_H+Vth_T5，其中VDATA_H为数据电压(VDATA)的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管(T5)的阈值电压；

S3：进入发光阶段；

所述第一扫描控制信号(VSCAN1)、所述第二扫描控制信号(VSCAN₂)、所述初始化驱动电压(VCOMP)提供低电位、所述数据电压(VDATA)提供低电位(0V)，所述第三扫描控制信号(VSCAN3)、所述第四扫描控制信号(VSCAN4)提供高电位；所述第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管、第六薄膜晶体管(T3、T4、T5、T6)打开，所述第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管(T1、T2)关闭；所述第一电容(C1)和第二电容(C2)并联，所述第五薄膜晶体管(T5)的栅极电压(VG_T5)等于VDATA_H+Vth_T5+(C2/C1+C2)VGS_T6，其中，C1为第一电容(C1)的电容值，C2为第二电容(C2)的电容值，VDATA_H为数据电压(VDATA)的高电位，Vth_T5为第五薄膜晶体管(T5)的阈值电压，VGS_T6为第六薄膜晶体管(T6)栅极和源极之间的电压之差。