[发明专利]一种太阳能硅片清洗方法、硅片、电池、组件及清洗系统

权利要求书

1.一种太阳能硅片清洗方法，其特征在于：对硅片进行药液清洗和氧化清洗之前，对所述硅片依次进行低温氧化清洗和氧化去除，其中，

在进行所述低温氧化清洗时，采用低温氧化溶液对硅片进行清洗，在所述硅片表面形成氧化层；

在进行所述氧化去除时，采用酸溶液对所述硅片进行清洗，去除所述硅片表面氧化层。

2.根据权利要求1所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：所述低温氧化溶液为臭氧水溶液或高浓度硝酸溶液，优选的，所述臭氧水溶液为过饱和臭氧水溶液，优选的，所述高浓度硝酸溶液的浓度为50％-65％。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：所述低温氧化溶液的温度为0-10℃。

4.根据权利要求3所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：所述低温氧化清洗时间为1-5min。

5.根据权利要求1或2或4述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：所述酸溶液为氢氟酸溶液或盐酸溶液，所述氢氟酸溶液的浓度为30％-50％，所述盐酸溶液的浓度为20％-30％，所述酸溶液的温度为20-25℃。

6.根据权利要求5所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：所述氧化去除的时间为20-40s。

7.根据权利要求1或2或4或6所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：在进行所述低温氧化清洗之前，进行预清洗，所述预清洗采用超声去离子水清洗，温度为20-25℃，清洗时间为1-5min。

8.根据权利要求7所述的太阳能硅片清洗方法，其特征在于：在进行所述氧化去除之后，对所述硅片进行漂洗，所述漂洗采用去离子水进行超声溢流清洗，温度为35-45℃，清洗时间为2-10min。

9.一种太阳能硅片，其特征在于：采用如权利要求1-8任一项所述的太阳能硅片清洗方法制备而成，所述太阳能硅片的少数载流子寿命≥100μs，硅片金属离子含量中，Fe1×10¹⁴atom/cm³，Cu1×10¹⁵atom/cm³。

10.一种太阳能电池，其特征在于：包括如权利要求9所述的太阳能硅片。

11.一种太阳能组件，其特征在于：包括如权利要求10所述的太阳能电池。

12.一种太阳能硅片清洗系统，包括用于对硅片进行清洗的预清洗部、用于对硅片进行药液清洗的药液清洗部、用于对硅片进行氧化清洗的氧化清洗部和用于对硅片进行烘干的烘干部，其特征在于：还包括用于对硅片进行低温氧化清洗的低温氧化清洗部、用于对硅片进行氧化去除的氧化去除部和用于对硅片进行漂洗的第一漂洗部，所述预清洗部、所述低温氧化清洗部、所述氧化去除部、所述第一漂洗部、所述药液清洗部、所述氧化清洗部与所述烘干部依次设置，对硅片依次进行清洗。

13.根据权利要求14所述的太阳能硅片清洗系统，其特征在于：所述低温氧化清洗部包括低温氧化清洗槽和低温保持装置，所述低温保持装置与所述低温氧化清洗槽连接。

14.根据权利要求13所述的太阳能硅片清洗系统，其特征在于：所述低温保持装置包括冷却装置、冷却动力装置和温度控制装置，所述冷却装置设于所述低温氧化清洗槽上，所述冷却装置与所述冷却动力装置连接，所述温度控制装置与所述冷却动力装置电连接。

15.根据权利要求14所述的太阳能硅片清洗系统，其特征在于：所述冷却装置为冷却盘管，所述冷却动力装置为压缩机，所述温度控制装置为温控器。