[发明专利]一种具有仿生结构的A/B/Si三元复合硅基光电极及其制备方法有效
| 申请号： | 202011398810.9 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112680748B | 公开（公告）日： | 2022-03-25 |
| 发明（设计）人： | 石刚;李新;李赢 | 申请（专利权）人： | 江南大学 |
| 主分类号： | C25B11/052 | 分类号： | C25B11/052;C25B11/059;C25B11/091;C25B1/04;C25B1/55;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人： | 张勇 |
| 地址： | 214000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 仿生 结构 si 三元 复合 硅基光 电极 及其 制备 方法 | ||
1.一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极，其特征在于，Si为p型半导体，B为n型金属氧化物半导体，A为析氢助催化剂；
B为WO3、A为CoP；或者，B为SnO2、A为MoS2；
所述具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极的制备方法为：
（1）硅金字塔衬底的制备：在碱液中刻蚀Si基底形成金字塔结构；
（2）B/Si结构的制备：在硅金字塔衬底上原位生长B的纳米棒阵列，其中，纳米棒阵列的直径为100~300nm，长度为200~1000nm；
（3）A/B/Si结构的制备：在B/Si结构上原位生长A的纳米片或者纳米粒子。
2.根据权利要求1所述一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极，其特征在于，金字塔结构的底部大小为3~8μm；A的形貌为纳米片或纳米粒子，直径在20~100nm。
3.根据权利要求1所述的一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极，其特征在于，所述硅金字塔衬底的制备的具体操作为：将清洗后的硅片加入碱液中加热到80-90℃，机械搅拌刻蚀20-50min。
4.根据权利要求1所述的一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极，其特征在于，所述WO3的纳米棒阵列的制备方法为化学气相沉积法、水热法或热蒸发法。
5.根据权利要求1所述的一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极，其特征在于，所述SnO2的纳米棒阵列的制备方法为微乳法、热蒸发法或水热法中的任一种。
6.权利要求1~5任一项所述的一种具有仿生分级结构的A/B/Si三元复合硅基光电极在光电分解水领域的应用。
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