[发明专利]一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202011397195.X 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112520705B 公开(公告)日: 2022-06-03
发明(设计)人: 韩曼舒;李誉;周志浩;陈明华;陈庆国 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: C01B19/00 分类号: C01B19/00;H01M4/36;H01M4/58;H01M10/054
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 李红媛
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 硒化铋 硒化钼异质 结构 电极 材料 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法是按以下步骤完成的:

一、合成Bi2Se3

①、将Na2SO3和Se粉加入到去离子水中,再搅拌,得到溶液A;

②、首先将Bi(NO3)3·5H2O溶液和乙二胺四乙酸溶液混合均匀,然后滴加抗坏血酸溶液,再搅拌,得到混合液,向上述混合液中滴加氨水溶液直至混合液完全透明,得到溶液B;

③、将溶液A滴加到溶液B中,再搅拌,得到澄清溶液;将澄清溶液转移到聚四氟乙烯为内胆的高压反应釜中,再将高压反应釜密封,最后进行水热反应,得到反应产物Ⅰ;

④、使用去离子水对反应产物Ⅰ进行离心清洗,直至溶液澄清,再通过真空抽滤,抽滤后得到的固体物质在真空下干燥,得到Bi2Se3

二、制备Bi2Se3/MoSe2异质结构:

①、在超声的条件下将Bi2Se3分散在去离子水中,得到Bi2Se3溶液;

步骤二①中所述的Bi2Se3的质量与去离子水的体积比为(30mg~80mg):10mL;

步骤二①中所述的超声的功率为100W~200W;

②、将Na2MoO4·2H2O溶解到去离子水中,再搅拌,得到Na2MoO4溶液;

步骤二②中所述的Na2MoO4·2H2O的质量与去离子水的体积比为(8mg~12mg):10mL;

③、将Se粉溶解到水合肼中,再搅拌,得到Se粉分散液;

步骤二③中所述的Se粉的质量与水合肼的体积比为(10mg~15mg):10mL;

④、将Bi2Se3溶液、Na2MoO4溶液和Se粉分散液混合,再搅拌,得到混合液;将混合液转移到聚四氟乙烯为内胆的高压反应釜中,再将高压反应釜密封,最后进行水热反应,得到反应产物Ⅱ;

步骤二④中所述的Bi2Se3溶液与Na2MoO4溶液的体积比为1:1;

步骤二④中所述的Bi2Se3溶液与Se粉分散液的体积比为1:1;

步骤二④中所述的水热反应温度为190℃~210℃,水热反应时间为20h~24h;

⑤、以去离子水为清洗剂对反应产物Ⅱ进行离心清洗,再进行真空干燥,得到干燥后的反应产物Ⅱ;

⑥、在氩气保护下,将干燥后的反应产物Ⅱ进行退火,得到硒化铋/硒化钼异质结构电极材料;

步骤二⑥中所述的退火温度为380℃~420℃,退火时间为20min~40min。

2.根据权利要求1所述的一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于步骤一①中所述的Na2SO3的物质的量与去离子水的体积比为(1mmol~3mmol):(5mL~10mL);步骤一①中所述的Se粉的物质的量与去离子水的体积比为(0.5mmol~1mmol):(5mL~10mL);步骤一①中所述的搅拌温度为75℃~85℃,搅拌速度为200r/min~300r/min,搅拌时间为6h~8h。

3.根据权利要求1所述的一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于步骤一②中所述的Bi(NO3)3·5H2O溶液的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L;步骤一②中所述的乙二胺四乙酸溶液的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L;步骤一②中所述的抗坏血酸溶液的浓度为0.3mol/L~0.8mol/L。

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