[发明专利]一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法及其应用有效
| 申请号: | 202011397195.X | 申请日: | 2020-12-03 |
| 公开(公告)号: | CN112520705B | 公开(公告)日: | 2022-06-03 |
| 发明(设计)人: | 韩曼舒;李誉;周志浩;陈明华;陈庆国 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨理工大学 |
| 主分类号: | C01B19/00 | 分类号: | C01B19/00;H01M4/36;H01M4/58;H01M10/054 |
| 代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 李红媛 |
| 地址: | 150080 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 硒化铋 硒化钼异质 结构 电极 材料 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法是按以下步骤完成的:
一、合成Bi2Se3:
①、将Na2SO3和Se粉加入到去离子水中,再搅拌,得到溶液A;
②、首先将Bi(NO3)3·5H2O溶液和乙二胺四乙酸溶液混合均匀,然后滴加抗坏血酸溶液,再搅拌,得到混合液,向上述混合液中滴加氨水溶液直至混合液完全透明,得到溶液B;
③、将溶液A滴加到溶液B中,再搅拌,得到澄清溶液;将澄清溶液转移到聚四氟乙烯为内胆的高压反应釜中,再将高压反应釜密封,最后进行水热反应,得到反应产物Ⅰ;
④、使用去离子水对反应产物Ⅰ进行离心清洗,直至溶液澄清,再通过真空抽滤,抽滤后得到的固体物质在真空下干燥,得到Bi2Se3:
二、制备Bi2Se3/MoSe2异质结构:
①、在超声的条件下将Bi2Se3分散在去离子水中,得到Bi2Se3溶液;
步骤二①中所述的Bi2Se3的质量与去离子水的体积比为(30mg~80mg):10mL;
步骤二①中所述的超声的功率为100W~200W;
②、将Na2MoO4·2H2O溶解到去离子水中,再搅拌,得到Na2MoO4溶液;
步骤二②中所述的Na2MoO4·2H2O的质量与去离子水的体积比为(8mg~12mg):10mL;
③、将Se粉溶解到水合肼中,再搅拌,得到Se粉分散液;
步骤二③中所述的Se粉的质量与水合肼的体积比为(10mg~15mg):10mL;
④、将Bi2Se3溶液、Na2MoO4溶液和Se粉分散液混合,再搅拌,得到混合液;将混合液转移到聚四氟乙烯为内胆的高压反应釜中,再将高压反应釜密封,最后进行水热反应,得到反应产物Ⅱ;
步骤二④中所述的Bi2Se3溶液与Na2MoO4溶液的体积比为1:1;
步骤二④中所述的Bi2Se3溶液与Se粉分散液的体积比为1:1;
步骤二④中所述的水热反应温度为190℃~210℃,水热反应时间为20h~24h;
⑤、以去离子水为清洗剂对反应产物Ⅱ进行离心清洗,再进行真空干燥,得到干燥后的反应产物Ⅱ;
⑥、在氩气保护下,将干燥后的反应产物Ⅱ进行退火,得到硒化铋/硒化钼异质结构电极材料;
步骤二⑥中所述的退火温度为380℃~420℃,退火时间为20min~40min。
2.根据权利要求1所述的一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于步骤一①中所述的Na2SO3的物质的量与去离子水的体积比为(1mmol~3mmol):(5mL~10mL);步骤一①中所述的Se粉的物质的量与去离子水的体积比为(0.5mmol~1mmol):(5mL~10mL);步骤一①中所述的搅拌温度为75℃~85℃,搅拌速度为200r/min~300r/min,搅拌时间为6h~8h。
3.根据权利要求1所述的一种硒化铋/硒化钼异质结构电极材料的制备方法,其特征在于步骤一②中所述的Bi(NO3)3·5H2O溶液的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L;步骤一②中所述的乙二胺四乙酸溶液的浓度为0.05mol/L~0.15mol/L;步骤一②中所述的抗坏血酸溶液的浓度为0.3mol/L~0.8mol/L。
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