[发明专利]一种高效能存储装置及方法

权利要求书

1.一种高效能存储装置，其特征在于，包括：

一组存储在NAND串中的存储单元，每个NAND串包括一个通道；

连接到该组存储单元的多条字线，该多条字线包括在编程操作中的选择的字线，在选择的字线的源极侧上的选择的字线的相邻字线和非字线；相邻字线的源极侧上的相邻字线；和

连接到所述多个字线和所述沟道的控制电路，所述控制电路被配置为：

向通道施加预充电电压；

在将预充电电压施加到沟道期间，将第一电压信号施加到包括相应的正电压的相邻字线，并且将第二电压信号施加到包括相应的正电压的非相邻字线；和

随后，在过渡期内：

将第一电压信号的电压从相应的正电压转换为通过电压，在转换期间，第一电压信号包括相应的最小电压，以及

将第二电压信号的电压从相应的正电压转换为通过电压，第二电压信号的电压包括在过渡期间的相应最小电压，该最小电压低于第一电压信号的相应最小电压，其中，控制电路被配置为以字线编程顺序对多条字线进行编程，并且在过渡周期中第一电压信号的相应最小电压是所选字线与第一字线的编程距离之间的距离的增加函数。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，在过渡时段中，第一电压信号的电压从相应的正电压到通过电压的过渡包括将第一电压信号的电压直接从相应的正电压增加到通过电压，使得相应的最小电压为等于各自的正电压；第二电压信号的相应最小电压为正电压；所述多个字线包括在所选择的字线的源极侧上的附加的非相邻字线；和

控制电路配置为：

在将预充电电压施加到沟道的过程中，将第三电压信号施加到包括相应正电压的另外的非相邻字线；和

随后，在过渡时段中，将第三电压信号的电压从相应的正电压过渡到通过电压，第三电压信号的电压包括在过渡期间的相应的最小电压，该最小电压低于第二电压的相应最小电压。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括：

温度感测电路，其被配置为提供温度，其中第一电压信号的相应最小电压是温度的下降函数；

控制电路被配置为在第一电压信号的电压处于通过电压并且第二电压信号的电压处于通过电压时，将编程电压施加到选择的字线；和

在过渡周期中第一电压信号的相应最小电压是编程电压的增加函数；

控制电路被配置为将第一电压信号施加到一组相邻的字线；

相邻字线组包括相邻字线，并与所选字线相邻；和

非相邻字线与该组相邻字线相邻。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，其中：

存储单元被配置为在八个数据状态下每个单元存储三位；和

该组相邻的字线包括至少三个字线；

存储单元被配置为在十六个数据状态下每个单元存储四位；和

该组相邻的字线包括至少两条字线；

NAND串布置在一个块中的多个子块中；

所述编程操作针对所述多个子块中的选定子块；和

当在所选择的子块之前被编程的多个子块中的多个子块的数目更大时，过渡时段中的第一电压信号的相应最小电压更大。

5.一种利用半导体装置进行存储方法，其特征在于，包括：

对一组存储单元执行编程操作，其中该组存储单元以NAND串的形式布置，每个NAND串包括连接到位线的沟道，并且多个字线连接到该组存储单元，并且包含一个在编程操作中选择字线，并在所选字线的源极侧上与所选字线相邻的相邻字线，执行编程操作包括：

向位线施加预充电电压；

在向位线施加预充电电压期间，向包括相应正电压的相邻字线施加第一电压信号；

当所选字线与多条字线中的第一编程字线的距离大于阈值时，将第一电压信号从相应的正电压直接增加到通过电压；和

当所选择的字线与多个第一编程字线中的第一编程字线之间的距离相等时，将第一电压信号从相应的正电压减小至相应的最小电压，然后将第一电压信号从相应的最小电压增大至通过电压；字线不大于阈值；和

在第一电压信号的电压处于通过电压时，将编程电压施加到所选字线，其中，第一电压信号的相应最小电压是编程电压的增加函数。