[发明专利]一种3D NAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液有效
| 申请号： | 202011395597.6 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112592777B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 冯凯;贺兆波;王书萍;张庭;尹印;万杨阳;钟昌东;李鑫;倪高国 | 申请（专利权）人： | 湖北兴福电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/08;C11D7/60;C07F7/10 |
| 代理公司： | 宜昌市三峡专利事务所 42103 | 代理人： | 成钢 |
| 地址： | 443007 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nand 结构 片干法 蚀刻 深沟 清洗 | ||
【权利要求书】：
1.一种3D NAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液，其特征在于，该清洗液主要成分包含质量分数为10-40%硝酸、0.1-0.5%氢氟酸、0.01-0.5%氟硅改性仲胺类有机物，0.1-5%醇胺类缓蚀剂，其余为水，所述氟硅改性仲胺类有机物的通式如式（1）所示：
式（1）：
其中D基团如式（2）所示：
式（2）
其中n为0-12的整数，m、p为小于12的正整数。
2.根据权利要求1所述的3D NAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液，其特征在于，所述的3D NAND结构片干法蚀刻的深沟槽深宽比＞50:1。
3.根据权利要求1所述的3D NAND结构片干法蚀刻后的深沟槽清洗液，其特征在于，所述醇胺类缓蚀剂为六甲醇基三聚氰胺、二甲氨基乙醇、二乙氨基乙醇、二乙醇胺、三乙醇胺、N-羟甲基-3,4,5,6-四氢邻苯二甲酰亚胺中的一种或几种的混合物。
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