[发明专利]一种双向CLLLC谐振变换器及其参数设置和控制方法在审

专利信息
申请号: 202011395549.7 申请日: 2020-12-03
公开(公告)号: CN112542952A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 罗朋;陈嘉哲;程冰;徐今强 申请(专利权)人: 广东海洋大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 代理人: 李林合
地址: 524088 *** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 双向 clllc 谐振 变换器 及其 参数设置 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种双向CLLLC谐振变换器,其特征在于,包括:NMOS管S1、NMOS管S2、NMOS管S3、NMOS管S4、NMOS管S5、NMOS管S6、原边谐振电感Lr、电容Cr1、电容Cr2、电感Lp、电容Cp、变压器T、副边谐振电感Ls和副边谐振电容Cs

所述NMOS管S1的漏极与电容Cr1的一端连接,并作为双向CLLLC谐振变换器的正输入端+Vin,其源极分别与原边谐振电感Lr的一端和NMOS管S2的漏极连接;

所述NMOS管S2的源极与电容Cr2的一端连接,并作为双向CLLLC谐振变换器的负输入端-Vin;

所述变压器T原边的一端分别与原边谐振电感Lr的另一端和电感Lp的一端连接,其另一端分别与电容Cp的一端、电容Cr1的另一端和电容Cr2的另一端连接;

所述电感Lp的另一端与电容Cp的另一端连接;

所述变压器T副边的一端与副边谐振电感Ls的一端连接,其另一端与副边谐振电容Cs的一端连接;

所述NMOS管S3的源极分别与副边谐振电感Ls的另一端和NMOS管S4的漏极连接,其漏极与NMOS管S5的漏极连接,并作为双向CLLLC谐振变换器的正输出端+Vout;

所述NMOS管S5的源极分别与副边谐振电容Cs的另一端和NMOS管S6的漏极连接;

所述NMOS管S4的源极与NMOS管S6的源极连接,并作为双向CLLLC谐振变换器的负输出端-Vout。

2.一种双向CLLLC谐振变换器的参数设置方法,其特征在于,包括以下步骤:

S1、根据最大输入电压、最小输入电压、输出电压、变压器匝数、最大工作频率、最小工作频率和谐振点频率,计算归一化增益指标和归一化工作频率范围,给定励磁电感与原边谐振电感的比值的范围以及品质因数的范围;

S2、在比值和品质因数的范围内各取一个初值;

S3、根据比值初值、品质因数初值、归一化增益指标和归一化工作频率范围,通过增益表达式迭代计算增益值;

S4、当增益值落入增益指标范围内时,得到比值具体值和品质因数具体值;

S5、根据比值具体值和品质因数具体值,计算得到原边谐振电容、原边谐振电感、励磁电感、副边谐振电容和副边谐振电感。

3.根据权利要求2的双向CLLLC谐振变换器的参数设置方法,其特征在于,所述步骤S3中增益表达式的公式为:

Cr=Cr1+Cr2

其中,M为增益值,n为变压器匝数,k为励磁电感Lm_eq与原边谐振电感Lr的比值,励磁电感Lm_eq为等效励磁电感由电感Lp和电容Cp的串联支路构成,w为归一化后的变换器工作角频率,a为副边谐振电感Ls折算到原边后与原边谐振电感Lr的比值,b为副边谐振电容Cs折算到原边后与原边谐振电容Cr的比值,Cr1为电容Cr1的电容值,Cr2为电容Cr2的电容值。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东海洋大学,未经广东海洋大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011395549.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top