[发明专利]红外增强型硅基光电探测器在审
| 申请号： | 202011395096.8 | 申请日： | 2020-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN112582495A | 公开（公告）日： | 2021-03-30 |
| 发明（设计）人： | 陈全胜;张明;王涛;贺琪 | 申请（专利权）人： | 无锡中微晶园电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 无锡派尔特知识产权代理事务所(普通合伙) 32340 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外 增强 型硅基 光电 探测器 | ||
1.一种红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述红外增强型硅基光电探测器包括：正面减反射膜、pn结、正面金属电极、背面全反射结构、背面反射层和背面金属电极。
2.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述的背面全反射结构包含有第一倾斜面和第二倾斜面，所述第一倾斜面和所述第二倾斜面为平面、上凸和/或下凹的表面。
3.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述第一倾斜面与水平面的夹角为9°~40°，所述第二倾斜面与水平面的夹角为45°~90°。
4.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述第一倾斜面与水平面的夹角为15°~35°，所述第二倾斜面与水平面的夹角为65°~85°。
5.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述第一倾斜面与水平面的夹角为9°~15°，所述第二倾斜面与水平面的夹角为45°~90°。
6.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述背面反射层和背面金属电极为同一层。
7.根据权利要求1所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述背面反射层为氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化铝和氧化铪中的一种或多种的叠层结构。
8.根据权利要求7所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述背面反射层为两种不同介质层进行堆叠组成的布拉格光栅结构。
9.根据权利要求8所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述布拉格光栅中两种介质材料叠层的层数大于等于5层。
10.根据权利要求1至9任一所述的红外增强型硅基光电探测器，其特征在于，所述背面反射层和背面全反射结构结合被用于包括雪崩光电二极管、光电二极管、光电三极管或者太阳能电池的光电器件中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡中微晶园电子有限公司，未经无锡中微晶园电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011395096.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种拥有信用透支及消费贷款功能的系统
- 下一篇：一种布料压烫除皱设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
