[发明专利]一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源

权利要求书

1.一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，其特征在于，包括半导体晶圆片(1)，所述晶圆片(1)上集成有光导开关和平面辐射天线，所述晶圆片(1)由SiC制成；

所述光导开关包括第一电极(2)和第二电极(3)，所述第一电极(2)和第二电极(3)分别位于晶圆片(1)两侧面且位置相对；

所述第一电极(2)为圆盘状或圆环状，所述第二电极(3)为中部可供激光脉冲穿过的圆环状；

所述平面辐射天线包括第一金属片(5)和第二金属片(7)，所述第一金属片(5)位于第一电极(2)所在的侧面，所述第二金属片(7)位于第二电极(3)所在的侧面；

所述第一金属片(5)通过连接导线(4)与第一电极(2)电性相连，所述第二金属片(7)通过陶瓷电容(6)与第二电极(3)电性相连。

2.根据权利要求1所述的一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，其特征在于，所述第一电极(2)和/或第二电极(3)制作前生长高掺杂n + -GaN层。

3.根据权利要求1所述的一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，其特征在于，所述第一金属片(5)和第二金属片(7)均呈弯弧状，所述第一金属片(5)和第二金属片(7)的弯弧延伸方向相背。

4.根据权利要求3所述的一种基于SiC载流子寿命调控的贴片式全固态高功率微波源，其特征在于，所述第一金属片(5)和第二金属片(7)的宽度随着与光导开关距离的增加而增大。