[发明专利]制造半导体器件的方法和半导体器件制造工具

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

在基板上形成包括光致抗蚀剂组合物的光致抗蚀剂层；

将所述光致抗蚀剂层选择性地暴露于光化辐射；

在选择性地将所述光致抗蚀剂层暴露于光化辐射之后加热所述光致抗蚀剂层，

其中，在加热过程中，将所述光致抗蚀剂层暴露于大于45％相对湿度的环境中；以及

在所述加热后使所述光致抗蚀剂层显影，以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述加热期间，将所述光致抗蚀剂层暴露于50％至95％相对湿度的环境中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述加热期间，在40℃至175℃的温度范围内加热所述光致抗蚀剂层。

4.根据权利要求1所述的方法，其中在所述加热期间，在60℃至160℃的温度范围内加热所述光致抗蚀剂层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述加热期间，将所述光致抗蚀剂层加热45秒至180秒。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在所述加热期间，将所述基板支撑在加热元件的表面上方并与所述加热元件的表面间隔开。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述加热期间，将所述基板支撑在所述加热元件上方并与所述加热元件间隔15秒至60秒，然后使所述基板与所述加热元件接触。

8.根据权利要求1所述的方法，其中大于45％相对湿度的环境流过所述光致抗蚀剂层的主表面上方。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述光致抗蚀剂组合物包括：

聚合物；

金属粒子；以及

光活性化合物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述光致抗蚀剂组合物还包含配体，

其中所述配体是取代或未取代的、有支链或无支链的脂肪族或芳香族的羧酸或磺酸配体，其中取代基选自C1-C9烷基、烯基和苯基组成的组。