[发明专利]铝硅靶材的制作方法有效
| 申请号： | 202011393135.0 | 申请日： | 2020-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN112538598B | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 董意男;程小明;常艳超;尤小磊;周振坤;丁静仁;董常亮;徐东起;王冬振;高奇峰 | 申请（专利权）人： | 爱发科电子材料（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | C22F1/043 | 分类号： | C22F1/043;C23C14/34 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 丰叶 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 铝硅靶材 制作方法 | ||
1.一种铝硅靶材的制作方法，包括提供AlSi铸锭步骤，其特征在于，还包括：
拔长步骤，所述拔长步骤采用冷拔作业，所述冷拔作业中的锻造比为X1，1≤X12；
一次墩粗步骤，控制锻造比为X2，2≤X23，且一次墩粗采用冷墩作业；
中间热处理步骤，将产品保持在第一预设温度范围内，保温第一预设时间，迅速置于冷水中；
二次墩粗步骤，控制锻造比为X3, 2≤X33，二次墩粗也采用冷墩作业；
预热处理步骤，在低于AlSi铸锭的再结晶温度下，在第二预热处理温度范围内，保温第二预设时间；
压延步骤，对产品进行多道次压延，所述压延每道次压下量控制在0.5-2.5mm之内，并且随着压延道次的增加，压下量减少；
退火热处理工艺步骤，在退火温度范围内，保温第三时间，进行水冷处理，形成最终靶材产品。
2.根据权利要求1所述的铝硅靶材的制作方法，其特征在于：所述第一预设温度范围在350℃-500℃，所述第一预设时间为50-80min。
3.根据权利要求1所述的铝硅靶材的制作方法，其特征在于：所述第二预热处理温度范围为100℃-200℃，所述第二预设时间为50min-120min。
4.根据权利要求1所述的铝硅靶材的制作方法，其特征在于：所述退火热处理工艺步骤中，所述退火温度范围为400-500℃，保温时间设置为50-80min。
5.根据权利要求1所述的铝硅靶材的制作方法，其特征在于：所述压延采用四辊轧机，压力范围控制在1000-1500t之间。
6.根据权利要求1所述的铝硅靶材的制作方法，其特征在于：所述一次墩粗步骤、二次墩粗步骤使用的锻打设备采用油压机。
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