[发明专利]光可分解化合物、光致抗蚀剂组合物和制造集成电路装置的方法

权利要求书

1.一种光可分解化合物，所述光可分解化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱，所述光可分解化合物由式1表示：

[式1]

其中，在式1中，

R^a为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，

Y^a为C1至C20二价直链或环状烃基，

n为1至5的整数，

A⁺为抗衡离子。

2.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，R^a为包括氮原子的单环芳族烃基。

3.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，R^a为下面的基团之一：

其中，*指示结合位。

4.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，R^a为包括氮原子的缩合芳族烃基。

5.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，R^a为下面的基团之一：

其中，*指示结合位。

6.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，Y^a为C1至C5取代或未取代的亚烷基、C5至C20二价单环或缩合脂环族烃基、或C5至C20二价单环或缩合芳族烃基。

7.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中：

Y^a为-(CH₂)_m-，

m为1至5的整数。

8.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中：

Y^a为下面的基团之一：

*指示结合位，

r为0至2的整数，

R^Y1、R^Y2、R^Y3和R^Y4均独立地为C1至C10直链或支链烷基、环丙基、环戊基或环己基。

9.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，A⁺为锍阳离子、碘鎓阳离子或铵阳离子。

10.根据权利要求1所述的光可分解化合物，其中，所述化合物在曝光时产生酸解离常数为1至10的酸。

11.一种光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包括：

化学放大型聚合物；

光酸产生剂；

光可分解化合物，所述光可分解化合物在曝光时产生酸并且在未曝光状态下用作中和酸的猝灭碱；以及

溶剂，

其中，所述光可分解化合物由式1表示：

[式1]

其中，在式1中，

R^a为包括至少一个氮原子的C5至C40取代或未取代的环状烃基，

Y^a为C1至C20二价直链或环状烃基，

n为1至5的整数，

A⁺为抗衡离子。

12.根据权利要求11所述的光致抗蚀剂组合物，其中：

所述光酸产生剂在曝光时产生具有第一酸解离常数的第一酸，

所述光可分解化合物在曝光时产生具有第二酸解离常数的第二酸，

所述第二酸解离常数高于所述第一酸解离常数。

13.根据权利要求11所述的光致抗蚀剂组合物，其中，R^a为包括氮原子的单环或缩合芳族烃基。