[发明专利]单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法

权利要求书

1.单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其特征在于，具有：

准备具有6×10¹⁷个原子/cm³以下的氧浓度和1×10¹³个原子/cm³以上的氮浓度的单晶硅锭的工序；

从所述单晶硅锭采集具有与该单晶硅锭的中心轴垂直且包含该单晶硅锭的直径的表面的晶片状试样的工序；

对所述晶片状试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理的工序；和

然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏的工序，

在所述晶片状试样表面不存在所述显现的缺陷的情况、和只在距所述晶片状试样表面中心规定距离r₁以下的中心区域内存在所述显现的缺陷的情况下，将该晶片状试样的氧化膜耐压评价为良，

在所述显现的缺陷存在到所述晶片状试样表面的所述中心区域的外侧的情况下，将该晶片状试样的氧化膜耐压评价为不良，

其中，所述距离r₁如以下这样求得：

一边只变更提拉条件中的提拉速度一边制备1根预备试验用单晶硅锭，

从所述预备试验用单晶硅锭采集具有包含该预备试验用单晶硅锭的中心轴和直径的表面的预备试验用纵切试样，

对所述预备试验用纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理，

然后，观察所述预备试验用纵切试样的表面，把握该表面上显现的缺陷的存在区域，

沿所述预备试验用纵切试样表面上的所述单晶硅锭的中心轴，通过LSTD检查来测定缺陷密度，

基于所述缺陷密度的测定值为检测下限以下的结晶长度位置处的所述显现的缺陷的存在区域，确定所述距离r₁。

2.单晶硅晶片的氧化膜耐压的评价方法，其中具有：

准备具有6×10¹⁷个原子/cm³以下的氧浓度和1×10¹³个原子/cm³以上的氮浓度的单晶硅锭的工序；

从所述单晶硅锭采集具有包含该单晶硅锭的中心轴和直径的表面的纵切试样的工序；

对所述纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理的工序；和

然后，观察所述表面，基于所述表面上显现的缺陷的有无和存在区域，评价从所述单晶硅锭切出的单晶硅晶片的氧化膜耐压的好坏的工序，

关于所述纵切试样表面上的从所述单晶硅锭的中心轴沿直径方向观察而不存在所述显现的缺陷的沿着所述中心轴的第1结晶长度位置、和只在沿直径方向距所述中心轴规定距离r₂以下的范围内存在所述显现的缺陷的沿着所述中心轴的第2结晶长度位置，将从这些第1结晶长度位置和第2结晶长度位置采集的具有垂直于所述中心轴的表面的单晶硅晶片的氧化膜耐压评价为良，

关于所述纵切试样表面上的从所述单晶硅锭的中心轴沿直径方向观察，而所述显现的缺陷存在到沿直径方向距所述中心轴规定距离r₂以下的范围的外侧的沿着所述中心轴的第3结晶长度位置，将从该第3结晶长度位置采集的具有垂直于所述中心轴的表面的单晶硅晶片的氧化膜耐压评价为不良，

其中，所述距离r₂如以下这样求得：

一边只变更提拉条件中的提拉速度一边制备1根预备试验用单晶硅锭，

从所述预备试验用单晶硅锭采集具有包含该预备试验用单晶硅锭的中心轴和直径的表面的预备试验用纵切试样，

对所述预备试验用纵切试样的表面实施铜装饰处理和随后的Wright蚀刻处理或Secco蚀刻处理，

然后，观察所述预备试验用纵切试样的表面，把握该表面上显现的缺陷的存在区域，

沿所述预备试验用纵切试样表面上的所述单晶硅锭的中心轴，通过LSTD检查来测定缺陷密度，

基于所述缺陷密度的测定值为检测下限以下的结晶长度位置处的所述显现的缺陷的存在区域，确定所述距离r₂。