[发明专利]一种PERC电池的背面钝化膜结构及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 202011390155.2 | 申请日： | 2020-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN112510100A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 任永伟;何悦;贾松燕 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 perc 电池 背面 钝化 膜结构 及其 制备 方法 用途 | ||
1.一种PERC电池的背面钝化膜结构，其特征在于，所述背面钝化膜结构包括依次层叠设置的氧化铝层、氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层。
2.根据权利要求1所述的背面钝化膜结构，其特征在于，所述背面钝化膜结构位于PERC电池的硅片表面；
优选地，所述氧化铝层位于所述PERC电池的硅片表面；
优选地，所述背面钝化膜结构的厚度为100～170nm；
优选地，所述氮化硅层包括依次层叠设置的第一氮化硅膜和第二氮化硅膜；
优选地，所述第一氮化硅膜的折射率为2.1～2.25；
优选地，所述第二氮化硅膜的折射率为2～2.15；
优选地，所述含硅氧层包括氮氧化硅层和/或氧化硅层。
3.根据权利要求1或2所述的PERC电池的背面钝化膜结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
依次在镀有氧化铝层的硅片上沉积氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和含硅氧层，得到所述PERC电池的背面钝化膜结构。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，在所述镀有氧化铝层的硅片进行沉积前先进行准备工作，所述准备工作依次包括插片、送舟、回温、恒温、一次抽真空、捡漏和二次抽真空；
优选地，所述插片包括将所述镀有氧化铝层的硅片用自动插片机插入石墨舟内；
优选地，所述送舟包括将所述石墨舟放到镀膜机桨上，送入镀膜炉管内；
优选地，所述回温包括将所述镀膜炉管内温区升温至大于等于400℃；
优选地，所述恒温包括设置所述镀膜炉管内温区的温度；
优选地，所述温度为400～480℃；
优选地，所述恒温的时间为5～15min；
优选地，所述一次抽真空包括对所述镀膜炉管进行抽真空操作；
优选地，所述捡漏包括确认所述镀膜炉管中的压力＜100mTorr/min。
5.根据权利要求3或4所述的制备方法，其特征在于，所述沉积氧化硅层的操作依次包括预沉积、沉积和抽真空；
优选地，所述预沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4和N2O；
优选地，所述预沉积中SiH4和N2O通入的体积比为1:4～1:16；
优选地，所述预沉积的压力为1300～1900mTorr；
优选地，所述沉积包括在所述镀膜炉管内通入SiH4和N2O，并开启射频功率；
优选地，所述沉积中SiH4和N2O的通入的体积比为1:4～1:16；
优选地，所述沉积的压力为1300～1900mTorr；
优选地，所述沉积的时间为30～200s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
