[发明专利]一种基于DKDP晶体的低电压高重复频率电光开关在审
申请号: | 202011388881.0 | 申请日: | 2020-12-02 |
公开(公告)号: | CN112327519A | 公开(公告)日: | 2021-02-05 |
发明(设计)人: | 吴季;刘红梅;郭杭涛;王城强;陈伟;张星;陈秋华 | 申请(专利权)人: | 福建福晶科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/03 | 分类号: | G02F1/03;G02B1/11 |
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地址: | 350003 福建*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 dkdp 晶体 电压 重复 频率 电光 开关 | ||
一种低电压高重复频率电光开关,包括主体结构,两个尺寸相同的45°z‑cut的DKDP晶体密封在主体结构中,两个DKDP晶体在Z轴相互垂直放置以补偿自然双折射,并在z轴方向施加极性相反的驱动电压,通光方向与晶体z轴垂直并分别与x轴或y轴成45°。在DKDP晶体和电极之间具有缓冲介质以缓解振铃效应。所述DKDP晶体为多块DKDP晶体串联的结构。本发明通过两个晶体z轴垂直放置来补偿DKDP晶体的自然双折射,从而降低晶体的驱动电压,同时降低了电光开关的温度敏感性,通过串联的方式来增加晶体的长度,进一步降低开关所需要的工作电压,电光开关的窗片和DKDP晶体的通光表面都镀有增透膜,透过率可达95%。
技术领域
本发明涉及一种激光器件领域,尤其是涉及一种基于DKDP晶体的低电压高重复频率的电光开关。
背景技术
电光开关是一种基于晶体普克尔斯效应制成的电光调制器,通过在晶体电极上施加电压来改变输出光的偏振态。
根据晶体电压加压方向的不同,普克尔效应又分为横向普克尔效应和纵向普克尔效应,横向普克尔效应的加压方向与通光方向垂直,纵向普克尔效应的加压方向与通光方向平行。
KDP类晶体是最早最众所周知的电光晶体材料,有很高的光学均匀性,消光比可达1000:1以上。市面上一般DKDP晶体都用其纵向电光效应做电光开关,此种情况下晶体的工作电压恒定,一般都在kV级以上。另外,由于DKDP晶体自身存在较严重的压电振铃效应,常规DKDP晶体的电光开关重复频率一般kHz以下,无法在较高重复频率下使用。
因此,如何能够应用DKDP晶体作为电光开关,且降低电光开关的驱动电压,提高该电光开关的驱动频率,成为现有技术亟需解决的技术问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种基于DKDP晶体的低电压高重频电光开关。利用DKDP晶体的横向电光效应,可以通过改变晶体截面与长度的比值来控制所需要的工作电压,降至百伏级,采用密闭式结构,透过率可以达到95%,重复频率可达100kHz。
为达此目的,本发明采用以下技术方案:
一种低电压高重复频率电光开关,其特征在于:
包括主体结构,在主体结构的两端分别具有端盖,所述端盖与所述主体结构通过螺纹连接,并且具有垫圈进行密封,所有元件均通过垫圈及螺纹锁紧密封在结构内,以防止晶体潮解。
在主体结构中放置有两个尺寸相同的45°z-cut的DKDP晶体,两个所述DKDP晶体具有电极以施加极性相反的驱动电压,两个所述DKDP晶体的Z轴相互垂直放置以补偿自然双折射,通光方向与晶体z轴垂直并分别与x轴或y轴成45°。
可选的,所述电极是在两个所述DKDP晶体的z轴方向上施加极性相反的驱动电压。
可选的,在所述DKDP晶体和所述电极之间具有缓冲介质,所述缓冲介质为质软的导电材料。
可选的,所述导电材料为导电橡胶或铟膜。
可选的,在主体结构的端盖处具有窗片,用于进行所述电光开关的通光,通过螺纹将所述端盖、窗片和垫圈与主体结构锁紧,以防止晶体的潮解。
可选的,所述DKDP晶体与窗片表面都镀有增透膜以减少插入损耗,使得电光开关的整体透过率在95%以上。
可选的,z轴方向相同的所述DKDP晶体为多块DKDP晶体串联的结构,从而降低开关所需要的工作电压,对于多块串联后的z轴方向相同的DKDP晶体,与垂直方向不同另外的多块串联后的DKDP晶体整体光程差相同。
可选的,在所述电光开关的两侧分别具有起偏器和检偏器,所述起偏器和检偏器的偏振方向互相垂直,光线垂直晶体z轴入射且入射光线的偏振方向与晶体z轴成45°夹角。
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