[发明专利]基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路

权利要求书

1.一种基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述电压基准电路包括启动电路、偏置电路、运放电路、ZTC核心电路和输出电路，所述启动电路连接所述运放电路和ZTC核心电路，所述偏置电路与所述运放电路、所述ZTC核心电路和输出电路依次相连；

所述ZTC核心电路包括两个MOS管、第一电阻和MOSFET管，第一MOS管的源极和第二MOS管的源极连接电源，所述第一MOS管的漏极通过所述第一电阻接地，所述第一MOS管和第一电阻的共端还连接所述启动电路，所述第二MOS管的漏极分别连接所述MOSFET管的漏极和所述运放电路构成的运放反相输入端，所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极相连，且栅极共端分别连接所述运放电路构成的运放输出端和输出电路，所述MOSFET管的栅极连接所述MOSFET管的漏极，所述MOSFET管的源极接地；通过调节第一电阻阻值使所述MOSFET管工作在ZTC工作点从而产生ZTC电流。

2.根据权利要求1所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述启动电路包括第三MOS管、第四MOS管和电容，所述第三MOS管的源极连接电源、漏极分别连接所述第四MOS管的栅极和所述电容的一端，所述第三MOS管的栅极和所述电容的另一端均接地，所述第四MOS管的源极连接所述第一MOS管和第二MOS管的栅极共端、漏极分别连接所述第一MOS管和第一电阻的共端以及所述运放电路构成的运放同相输入端；当所述电压基准电路上电时，所述启动电路作用于所述ZTC核心电路使其摆脱零工作点。

3.根据权利要求1所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述偏置电路包括五个MOS管、第二电阻、第三电阻和第一三极管，第五MOS管的源极、第六MOS管的源极和第九MOS管的源极均连接电源，所述第五MOS管的漏极连接第七MOS管的漏极，所述第六MOS管的漏极连接第八MOS管的漏极，所述第七MOS管的源极通过所述第二电阻接地，所述第八MOS管的源极连接所述第一三极管的发射极，所述第五MOS管的栅极和第六MOS管的栅极相连，且相连共端分别连接所述第五MOS管和第七MOS管的共端以及所述第九MOS管的栅极，所述第七MOS管的栅极和第八MOS管的栅极相连，且相连共端连接所述第六MOS管和第八MOS管的共端，所述第一三极管的基级和集电极均接地，所述第九MOS管的漏极分别连接所述第三电阻的一端和所述运放电路，所述第三电阻的另一端接地；所述偏置电路用于产生不随电源变化的稳定偏置电压，为后续所述运放电路的正常工作提供所述稳定偏置电压。

4.根据权利要求2所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述运放电路包括五个MOS管，组成单级五管跨导运放结构，第十MOS管的源极和第十一MOS管的源极连接电源，所述第十MOS管的漏极连接第十二MOS管的漏极，所述第十一MOS管的漏极连接第十三MOS管的漏极，且所述第十一MOS管M11和第十三MOS管M13的共端作为运放的输出端分别连接所述第一MOS管和第二MOS管的栅极共端以及所述第四MOS管的源极，所述第十MOS管的栅极与第十一MOS管的栅极相连，且相连共端连接所述第十MOS管和第十二MOS管的共端，所述第十二MOS管的源极与第十三MOS管的源极相连，且相连共端连接第十四MOS管的漏极，所述第十二MOS管的栅极作为运放的同相输入端分别连接所述第四MOS管的漏极以及所述第一MOS管和第一电阻的共端，所述第十三MOS管的栅极作为运放的反相输入端连接所述第二MOS管和MOSFET管的共端，所述第十四MOS管的栅极连接所述偏置电路，所述第十四MOS管的源极接地；所述运放电路与所述第一MOS管、第二MOS管、第一电阻和MOSFET管组成负反馈回路，使所述第一电阻的两端电压与MOSFET管的源极和漏极间的电压相等。

5.根据权利要求1所述的基于MOSFET的ZTC工作点的电压基准电路，其特征在于，所述输出电路包括第十五MOS管和第四电阻，所述第十五MOS管的源极连接电源、栅极连接所述第一MOS管和第二MOS管的栅极共端、漏极连接所述第四电阻的第一端，所述第四电阻的第二端接地；所述第一MOS管、第二MOS管、第十五MOS管组成电流镜，所述输出电路通过所述电流镜将所述ZTC核心电路产生的ZTC电流作用于所述第四电阻上，从而在所述第四电阻的第一端获得基准电压。