[发明专利]掩膜版在审
申请号: | 202011380899.6 | 申请日: | 2020-11-30 |
公开(公告)号: | CN112575288A | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 孙琳;李露露;王恩霞;李世泰;李慧 | 申请(专利权)人: | 合肥维信诺科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人: | 范坤坤 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掩膜版 | ||
1.一种掩膜版,其特征在于,包括掩膜版框架和掩膜版本体;
所述掩膜版本体设置于所述掩膜版框架上;所述掩膜版本体包括遮挡区,所述遮挡区在所述掩膜版框架上的垂直投影包括第一区域和第二区域,所述第一区域设置于所述第二区域远离所述掩膜版框架开窗区的一侧,所述第一区域的掩膜版本体与所述掩膜版框架固定连接;沿所述掩膜版框架的厚度方向,所述掩膜版框架和所述第二区域的掩膜版本体之间设置有中空结构,所述中空结构靠近所述掩膜版框架开窗区的边缘与外界连通。
2.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述第二区域的掩膜版本体的蒸镀面设置有第一凹槽,所述第一凹槽形成所述中空结构。
3.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,所述第一凹槽远离所述第一区域的边缘到所述掩膜版框架的内侧表面的距离大于零。
4.根据权利要求2所述的掩膜版,其特征在于,沿所述掩膜版框架的厚度方向,所述第一凹槽的深度小于或等于所述掩膜版本体厚度的五分之一。
5.根据权利要求1所述的掩膜版,其特征在于,所述掩膜版框架包括边框;沿所述掩膜版框架的厚度方向,在所述边框与所述第二区域的掩膜版本体相对的部分,所述边框的上表面设置有第二凹槽,所述第二凹槽形成所述中空结构。
6.根据权利要求5所述的掩膜版,其特征在于,沿所述掩膜版本体的一端指向所述掩膜版本体的中点方向,所述第二凹槽的深度逐渐增加。
7.根据权利要求5或6所述的掩膜版,其特征在于,所述第二凹槽为多个,沿所述掩膜版本体的一端指向所述掩膜版本体的中点方向,每一所述第二凹槽的延伸方向相同。
8.根据权利要求7所述的掩膜版,其特征在于,沿所述掩膜版本体的一端指向所述掩膜版本体的中点方向,每一所述第二凹槽的延伸方向与所述边框的延伸方向不垂直。
9.根据权利要求7所述的掩膜版,其特征在于,相邻所述第二凹槽间的距离相等。
10.根据权利要求2或5所述的掩膜版,其特征在于,所述中空结构靠近所述第一区域的边缘到所述第一区域的垂直距离大于或等于0.5mm。
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