[发明专利]一种有机电存储器件及其制备方法

权利要求书

1.一种有机电存储器件，其特征在于，从下至上依次包括：底电极层、有机层和顶电极层；所述有机层由聚乙烯咔唑和稠环按照质量比(1~10):(0.1~1)共混制得；所述稠环的化学结构式为：

；所述有机层由所述聚乙烯咔唑和所述稠环按照质量比(1~10):(0.1~1)溶于溶剂，之后涂成膜在60-70℃真空环境下进行第一次退火处理，继续在90-95℃的惰性气体环境下进行第二次退火处理制得。

2.根据权利要求1所述的有机电存储器件，其特征在于，所述有机层的厚度为10~500nm。

3.根据权利要求1所述的有机电存储器件，其特征在于，所述有机层由所述聚乙烯咔唑和所述稠环按照质量比(1~10):(0.1~1)溶于溶剂，之后涂成膜在60-70℃真空环境下进行所述第一次退火处理3-4h，继续在90-95℃的惰性气体环境下进行所述第二次退火处理1-2h制得。

4.根据权利要求1所述的有机电存储器件，其特征在于，所述溶剂为邻二氯苯、氯苯、氯仿、甲苯和二甲苯中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的有机电存储器件，其特征在于，所述底电极层包括导电膜和衬底层，所述导电膜镀在所述衬底层上，所述有机层覆盖在所述导电膜上，所述导电膜由铜、钨、镍、锌、铝、氧化铟锡和氟掺杂氧化锌中的一种或者多种构成；所述顶电极层由铝、银和金中的一种或多种构成。

6.根据权利要求1所述的有机电存储器件，其特征在于，所述顶电极层的厚度为20~500nm。

7.一种权利要求1-6任一项所述的有机电存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将聚乙烯咔唑与稠环的混合物溶于溶剂中得到浓度为1~100mg/ml的溶液；

将所述溶液滴加在底电极层上并分散均匀，真空干燥除去残余溶剂得到有机层；

通过真空蒸镀法将顶电极层附着在所述有机层上得到所述有机电存储器件。

8.根据权利要求7所述的制备方法，在将所述溶液滴加在底电极层上并分散均匀之前还包括：将底电极层中的衬底层依次经丙酮、玻璃清洗剂、去离子水和无水乙醇超声清洗，之后干燥备用。