[发明专利]芯片封装体及其制作方法

权利要求书

1.一种芯片封装体，其特征在于，包括：

导电基板；

第一功率芯片，贴装在所述导电基板的第一表面；

第二功率芯片，贴装在所述导电基板的与所述第一表面相背的第二表面；

第一封装层，覆盖所述第一功率芯片；

第二封装层，覆盖所述第二功率芯片；

第一导电层，设置在所述第一封装层远离所述导电基板的一侧表面，并与所述第一功率芯片电性连接；

第二导电层，设置在所述第二封装层远离所述导电基板的一侧表面，并与所述第二功率芯片和所述导电基板电性连接；

连通柱，设置在所述第一导电层和所述第二导电层之间，用于连通所述第一导电层和所述第二导电层。

2.根据权利要求1所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层和所述第二封装层填满所述第一导电层、所述第二导电层之间的空间。

3.根据权利要求2所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层上开设有至少一个第一导通孔，所述第一导电层通过所述第一导通孔与所述第一功率芯片电性连接；

所述第二封装层上开设有至少一个第二导通孔、至少一个第三导通孔以及至少一个第四导通孔；

所述第二导电层包括相互绝缘的第一导电部、第二导电部以及第三导电部，所述第一导电部通过所述第二导通孔与所述第二功率芯片的第一连接点电性连接，所述第二导电部通过所述第三导通孔与所述第二功率芯片的不同于所述第一连接点的第二连接点电性连接，且通过所述连通柱与所述第一导电层电性连接，所述第三导电部通过所述第四导通孔与所述导电基板电性连接。

4.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一导电部、所述第二导电部以及所述第三导电部间隔设置。

5.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一封装层上还开设有第五导通孔，所述第二封装层与所述第五导通孔对应的位置开设有第六导通孔，所述导通柱形成于所述第五导通孔和所述第六导通孔中。

6.根据权利要求1-5任一项所述的芯片封装体，其特征在于，还包括阻焊层，设置在所述第一封装层和所述第二封装层远离所述导电基板的一侧表面并覆盖所述第一导电层和所述第二导电层，用于保护所述第一导电层和所述第二导电层。

7.根据权利要求1-5任一项所述的芯片封装体，其特征在于，所述导电基板为厚铜板。

8.根据权利要求3所述的芯片封装体，其特征在于，所述第一功率芯片为FRD芯片，所述第二功率芯片为IGBT芯片。

9.根据权利要求8所述的芯片封装体，其特征在于，所述FRD芯片的阴极与所述导电基板的第一表面电性连接，所述FRD芯片的阳极通过所述第一导通孔与所述第一导电层电性连接；所述IGBT芯片的集电极与所述导电基板的第二表面电性连接，所述IGBT芯片的门极通过所述第二导通孔与所述第一导电部连接，所述IGBT芯片的发射极通过所述第三导通孔与所述第二导电部连接。

10.一种芯片封装体的制作方法，其特征在于，包括：

提供导电基板；

在所述导电基板的第一表面和与所述第一表面相背设置的第二表面分别贴装第一功率芯片和第二功率芯片；

对所述第一功率芯片和所述第二功率芯片进行塑封，以形成第一封装层和第二封装层，所述第一封装层覆盖所述第一功率芯片，所述第二封装层覆盖所述第二功率芯片；

在所述第一封装层和所述第二封装层的预设位置进行激光钻孔，以形成若干导通孔；

在所述第一封装层远离所述导电基板的一侧表面电镀金属层，以形成第一导电层，所述第一导电层通过所述导通孔与所述第一功率芯片电性连接，在所述第二封装层远离所述导电基板的一侧表面电镀所述金属层，以形成第二导电层，所述第二导电层通过所述导通孔与所述第二功率芯片、所述导电基板和所述第一导电层电性连接。