[发明专利]片上扫频光源和使用其的相控阵有效
| 申请号： | 202011377119.2 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112531457B | 公开（公告）日： | 2022-02-15 |
| 发明（设计）人： | 刘祖文;金里;曹睿;蒋平;李同辉 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01S5/026 | 分类号： | H01S5/026;H01S5/00;H01S5/06 |
| 代理公司： | 北京北汇律师事务所 11711 | 代理人： | 李英杰 |
| 地址： | 401332 重庆市*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 片上扫频 光源 使用 相控阵 | ||
1.一种片上扫频光源，其特征在于，包括基底和集成在所述基底上的按照光输出方向依次连接的外腔激光器和单边带调制器，所述单边带调制器包括铌酸锂波导，所述外腔激光器和所述单边带调制器片上集成；所述外腔激光器按照光输出方向依次包括环形反射器、激光增益介质、调相器、耦合装置、以及波长选择反射器，其中，
所述调相器一端连接所述激光增益介质，所述调相器另一端连接所述耦合装置；
所述耦合装置耦合的第一波导第一端连接所述调相器，所述第一波导的第二端连接所述波长选择反射器；所述耦合装置耦合的第二波导第一端连接所述单边带调制器的第一端，所述第二波导的第二端连接所述波长选择反射器。
2.根据权利要求1所述的片上扫频光源，其特征在于，所述耦合装置包括2×2耦合器。
3.根据权利要求2所述的片上扫频光源，其特征在于，所述耦合装置包括等臂长MZ干涉器。
4.根据权利要求1所述的片上扫频光源，其特征在于，所述激光增益介质由Ⅲ,Ⅴ族材料与所述基底异质集成。
5.根据权利要求1所述的片上扫频光源，其特征在于，还包括与所述单边带调制器的第二端连接的半导体光放大器。
6.根据权利要求5所述的片上扫频光源，其特征在于，所述半导体光放大器由Ⅲ,Ⅴ族材料与所述基底异质集成。
7.根据权利要求5所述的片上扫频光源，其特征在于，所述单边带调制器通过基底作为中间转接部分将光场转移到所述半导体光放大器中进行放大。
8.根据权利要求1所述的片上扫频光源，其特征在于，所述波长选择反射器包括维纳双环滤波器。
9.根据权利要求1-8中任一项所述的片上扫频光源，其特征在于，所述基底包括硅波导、氮化硅波导和铌酸锂薄膜波导中至少一种波导。
10.一种相控阵，其特征在于，包括如权利要求1-9中任一项所述的片上扫频光源。
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