[发明专利]一种晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法

权利要求书

1.一种制备方法，是晶界扩散制备高内禀矫顽力钕铁硼永磁材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤1、按下列质量百分比进行配料：Nd：20.0-21.0％；La：0.1-0.3％；Sm：0.1-0.3％；Cu：0.1-0.5％；Al：0.5-0.9％；Co：1.3-1.6％；Ti：0.1-0.3％；B：5.5-6.1％；Ga：0.1-0.3％，其余为Fe，磁体通过速凝铸片、氢碎、气流磨、磁场取向成型、烧结及热处理的方式制备；

步骤2、制备无重稀土合金的涂层，涂层成分为RExNR100-x，其中，0＜x＜100，RE选自稀土元素La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm中的一种或几种，NR为Co、Fe、Al、Cu、Ga、Nb、Ni、Ti、Zr、V、Nb、F、O、H中的一种或几种；

步骤3、将烧结后的所述磁体进行表面清洁处理；

步骤4、将无重稀土合金涂层均匀地形成于所述磁体表面，晶界扩散时，在600-1000℃的氩气气氛下对试样进行4-10h的保温处理；

步骤5、所述磁体经晶界扩散后进行退火热处理。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，采用涂覆、溅射、沉积、电泳方式将所述无重稀土合金涂层均匀地形成于磁体表面。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤4中，要使炉体的真空度达到10^-2量级，升温速率为10℃/min，再升温到600-1000℃，保温4-10h，保温结束后充入Ar气冷却。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤5中，退火热处理的温度为400-600℃，保持该温度2-3h后充入氩气冷却到90℃以下。