[发明专利]电子束探测技术及相关结构

权利要求书

1.一种方法，其包括：

在存储器器件的衬底上方形成第一材料；

在所述第一材料上方形成第二材料的凸起线及由所述第二材料围绕的沟槽；以及

至少部分基于所述凸起线形成所述第一材料的第一回路且至少部分基于所述沟槽形成所述第一材料的第二回路，其中：

所述第一回路的第一子集电浮动且所述第一回路的第二子集与所述存储器器件的接地基准耦合；并且

所述第二回路的第一子集电浮动且所述第二回路的第二子集与所述存储器器件的所述接地基准耦合。

2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一材料上方形成第三材料的第一回路集合和所述第三材料的第二回路集合，其中：

所述第三材料的所述第一回路集合中的每一个围绕集合的对应凸起线；并且

所述第三材料的所述第二回路集合中的每一个在所述集合的沟槽内。

3.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第一材料的所述第一回路和所述第一材料的所述第二回路包括：

在使用所述第三材料的所述第一回路集合作为所述第一材料的所述第一回路的第一掩模并使用所述第三材料的所述第二回路集合作为所述第一材料的所述第二回路的第二掩模的同时，移除所述第一材料的一部分。

4.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述第三材料的所述第一回路集合和所述第三材料的所述第二回路集合包括：

在凸起线集合的侧壁上和沟槽集合的侧壁上共形地形成所述第三材料。

5.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述沟槽包括：

形成所述第二材料的第二凸起线集合，所述第二凸起线集合平行于所述凸起线；以及

形成所述第二材料的第三凸起线集合，其中所述第三凸起线集合与所述第二凸起线集合相交，所述集合的每一沟槽由第二集合的两个凸起线和第三集合的两个凸起线围绕。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述第二凸起线集合和所述第三凸起线集合至少部分基于同一光刻掩模同时形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一回路和所述第二回路同时形成。

8.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

在所述第一材料下方形成驱动器集合，所述驱动器集合包含用于所述第一回路中的每一个和所述第二回路中的每一个的对应驱动器；以及

对于所述第一回路的所述第二子集中的每一个和所述第二回路的所述第二子集中的每一个，形成与对应驱动器的互连，其中所述第一回路的所述第一子集中的每一个和所述第二回路的所述第一子集中的每一个不与任何驱动器耦合。

9.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括：

形成所述存储器器件的存取线，所述存取线包括所述第一材料。

10.根据权利要求1所述的方法，其中：

所述第一材料形成为用于所述存储器器件的存取线和存储器单元的材料叠层的一部分；并且

形成所述第一材料的第一回路或所述第二材料的第二回路包括形成所述材料叠层的对应回路。

11.根据权利要求1所述的方法，所述集合的所述凸起线和所述集合的所述沟槽各自具有锥形末端。

12.根据权利要求1所述的方法，其中：

形成所述第一材料的第一同心回路集合，所述第一同心回路集合中的第一同心回路各自围绕所述第一材料的对应第一回路；并且

形成所述第一材料的第二同心回路集合，所述第二同心回路集合中的第二同心回路各自围绕所述第一材料的对应第二回路，其中：

所述第一同心回路的第一子集电浮动且所述第一同心回路的第二子集与所述存储器器件的所述接地基准耦合；并且

所述第二同心回路的第一子集电浮动且所述第二同心回路的第二子集与所述存储器器件的所述接地基准耦合。