[发明专利]一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法

权利要求书

1.一种基于反应离子刻蚀法制备黑硅钝化接触电池的方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、对N型单晶硅进行结构化处理，形成金字塔结构，对处理后的硅片在N型单晶硅基体的背面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层，同时在N型单晶硅基体的正面形成含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域；

S2、对N型单晶硅基体的正面进行反应离子刻蚀，以去除电池正面的多晶硅绕度，同时在电池正面的微米级的金字塔结构上形成纳米级孔洞结构；

S3、对步骤S2处理后的N型单晶硅基体进行后处理。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，

对所述纳米级孔洞结构进行扩孔处理，扩孔处理的溶液为NaOH溶液，扩孔之后的所述纳米级空洞结构的长为50-300nm，深度为50-300nm。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，

反应离子刻蚀的气体包含SF₄、CL₂、O₂中的一种或几种的混合气体。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S1中，所述对N型单晶硅进行结构化处理，形成金字塔结构，对处理后的硅片在N型单晶硅基体的背面依次形成隧穿氧化层和多晶硅层，同时在N型单晶硅基体的正面形成含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域：

S11、在制绒后的N型单晶硅基体的双面制备p+发射极；

S12、去除N型单晶硅基体背表面的p+发射极，并在背面形成平整形貌；

S13、在N型单晶硅基体的背面依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层；在沉积过程中，在N型单晶硅基体的正面形成含有多晶硅绕镀第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S2中，所述对N型单晶硅基体的正面进行反应离子刻蚀，以去除电池正面的多晶硅绕度，同时在电池正面的微米级的金字塔结构上形成纳米级孔洞结构之前，所述方法还包括：

S3’，在N型单晶硅基体背面沉积氮化硅叠层减反膜。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S3中，所述对步骤S2处理后的N型单晶硅基体进行后处理包括：

S31、对步骤S2处理后的N型单晶硅基体进行清洗处理，以去除反应离子刻蚀过程的残留物和离子轰击的损伤层，并对所述纳米级孔洞结构进行扩孔处理；

S32、在N型单晶硅基体正面沉积氧化铝、氮化硅叠层减反膜体；

S33、在N型单晶硅基体的正面制备p+金属电极，在N型单晶硅基体的背面制备n+金属电极。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在步骤S11中，

采用硼扩散的方法对制绒后的N型单晶硅基体进行硼掺杂，以在N型单晶硅基体的双面制备p+发射极；硼扩散的硼源为三溴化硼或硼浆。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤S12中，

采用HF/HNO₃/H₂SO₄的混合溶液刻蚀N型单晶硅基体的背面，以去除N型单晶硅基体背表面的p+发射极，并在背面形成平整形貌。

9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在步骤S33中，

所述p+金属电极和n+金属电极均“H”型栅线。

10.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，在步骤S2之前，所述方法还包括：

S2’、对N型单晶硅基体进行掺杂和退火处理，以使得N型单晶硅基体背面的多晶硅层变为表面覆盖有含磷氧化层的掺磷多晶硅层，同时在N型单晶硅基体正面的含有多晶硅绕镀的第一区域和不含多晶硅绕镀的第二区域上均形成薄氧化层。