[发明专利]一种发光装置及制作方法

说明书

本发明公开了一种发光装置及制作方法，发光装置包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；基体的上表面设有至少一个凹槽，光转换层铺设在凹槽内，发光元件埋设在光转换层内并与基体固定连接；围坝设于光转换层的上表面，围坝的内外两侧分别为内区和外区；所述光反射层设于外区并将所述光转换层的上表面覆盖；所述光透过层设于内区并将所述光转换层的上表面覆盖。在本发光装置中，设置的围坝的尺寸可以调节，从而达到控制出光面尺寸的目的，同时凹槽的尺寸面积大于围坝的尺寸面积，这样设于凹槽内的发光元件不会受限于固定的出光面尺寸的限制，可以设置更多数量的发光元件，从而满足不同出光面尺寸的需求。

技术领域

本发明属于发光二极管技术领域，具体涉及一种发光装置及制作方法。

背景技术

高密度的集成封装是指将若干个发光元件封装在具有高导热系数的基体上，以串联/并联共存方式进行连接，通过基体散热，减少热阻，从而实现大功率的封装，即COB封装，以此类封装工艺得到的发光装置，具有较高的光通量/面积比，可以在较小的出光面上实现很高的光通量输出。

专利CN 204497269 U公开了一种集成封装的发光装置，其发光元件模组位于反光杯的底部，在发光元件模组的上表面覆盖有一层光透过层，在光透过层的上表面覆盖有一层荧光片，此发光装置能够实现大功率的白光和出光均匀性高，但是其出光面的尺寸不可调，且能容纳的发光元件数量少，具有一定的局限性。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点，本发明的目的在于提供一种发光装置，旨在解决现有存在的出光面的尺寸不可调、能容纳的发光元件数量少的问题。

本发明为达到其目的，所采用的技术方案如下：

一种发光装置，包括发光元件、基体、光转换层、光反射层、光透过层和围坝；

所述基体的上表面设有至少一个凹槽，所述光转换层铺设在所述凹槽内，所述发光元件埋设在所述光转换层内并与所述基体固定连接；

所述围坝设于所述光转换层的上表面，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；

所述光反射层设于外区并将外区的所述光转换层的上表面覆盖；

所述光透过层设于内区并将内区的所述光转换层的上表面覆盖。

优选的，所述凹槽的形状包括圆形、方形、多边形中的一种。

优选的，所述发光元件包含正装、倒装、垂直芯片中的至少一种。

优选的，所述发光元件以串联或并联或串联并联共存的阵列方式嵌装在所述凹槽内。

优选的，所述围坝的直径尺寸小于所述凹槽的直径尺寸或宽度尺寸，所述围坝的上表面高于所述基体的上表面。

优选的，所述光透过层的材质为透明胶。

优选的，所述光转换层的上表面低于所述基体的上表面，所述光反射层的上表面和所述基体的上表面在同一水平面上，所述光透过层的上表面低于所述围坝的上表面。

本发明还包括一种发光装置的制作方法，包括以下步骤：

S1：以基体的上表面为正面，将若干个所述发光元件固定于所述基体的凹槽中，若干个所述发光元件通过所述基体进行电气连接；

S2：在所述发光元件的侧面和上表面铺设一层荧光胶，形成所述光转换层；

S3：在所述光转换层的上表面，以所述凹槽的中心为中心，铺设一圈围坝胶，形成围坝，所述围坝的内外两侧分别为内区和外区；

S4：在所述外区铺设一层光反射胶覆盖外区的所述光转换层的上表面，形成所述光反射层；

S5：在所述内区铺设一层透明胶覆盖内区的所述光转换层的上表面，形成所述光透过层。