[发明专利]微型发光二极管在审
| 申请号： | 202011370050.0 | 申请日： | 2020-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN112531080A | 公开（公告）日： | 2021-03-19 |
| 发明（设计）人： | 曾彦钧;林子旸;史诒君 | 申请（专利权）人： | 錼创显示科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 郭化雨 |
| 地址： | 中国台湾苗栗*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微型 发光二极管 | ||
1.一种微型发光二极管，其特征在于，包含：
一第一半导体层，其双侧定义有相对的一第一面与一第二面，该第一半导体层设置有一掺杂区域，该掺杂区域位于该第一半导体层中，该掺杂区域露出于该第一面，且该掺杂区域与该第一半导体层之间形成有一pn接面；
一第一电极，位于该第一面上，用以电性连接该第一半导体层；
一第二电极，位于该第一面上，用以电性连接该掺杂区域；以及
一活性层，邻接该第二面；
其中该第一半导体层为一第一掺杂类型，该掺杂区域为一第二掺杂类型，该第一掺杂类型与该第二掺杂类型相异，且该第一半导体层与该pn接面位于该活性层的同侧。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，更包含：
一第一欧姆接触层，设置于该第一电极与该第一面之间，该第一欧姆接触层分别接触该第一电极与该第一半导体层。
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，该第一欧姆接触层与该第二电极于该第一面上间隔有一第一距离，该第一距离在0.5μm到80μm之间。
4.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，于该第一面的法线方向上，该第一电极与该第一欧姆接触层的投影面积比例小于或等于1.5且大于等于0.01。
5.根据权利要求2所述的微型发光二极管，其特征在于，该第一电极具有一第一厚度，该第一欧姆接触层具有一第二厚度，该第二电极具有一第三厚度，该第三厚度为该第一厚度和该第二厚度的总和。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，该第二电极于该第一面上覆盖该掺杂区域。
7.根据权利要求1所述的微微型发光二极管，其特征在于，于该第一面的法线方向上，该第二电极与该掺杂区域的投影面积比例为0.5至2。
8.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于，更包含一第二半导体层，该活性层位于该第一半导体层与该第二半导体层之间。
9.根据权利要求8所述的微型发光二极管，其特征在于，该第二半导体层为该第一掺杂类型。
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